印制板蚀刻、微蚀刻废液的再生和铜回收的技术及设备

传统的印制板蚀刻废液处理方法存在着工艺落后、操作不便、二次污染、效益不高等问题,本工艺采用特殊的萃取电解、吸附电解技术,使蚀刻废液得以再生循环利用,铜得以100%回收,低含铜废水铜得到98%回收,整个系统不产生二次污染,获得的铜为高纯度铜板,在实现污染控制的同时,废液废水得到了资源化利用。     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

椭偏法测膜厚的直接计算方法

改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚．     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

介质膜技术在半导体激光器中的应用（一）——改变阈值电流，提高外量子效率

本文从理论上分析了介质膜对半导体激光器外特性如阈值电流，外量子效率和最大输出功率等的影响，实验研究结果也表明腔镜镀膜技术能有效地改善半导体激光器的输出特性，且工艺简便，较之设计研制新结构容易实现。     

Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。     

SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

Dynamic Current Sharing in Paralleling Power MOSFET

By combining the theory with the practice,the dynamic current shar-ing in paralleling power MOSFET is analysed.The principles of choosing parameters in-fluencing dynamic current sharing are described,and some experiment results are given on the basis of these steps.