厚膜导体的金属迁移研究

金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法－水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。     

RIG超高阻片式厚膜电阻器

RIG超高阻片式厚膜电阻器用96％Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

介质膜技术在半导体激光器中的应用（一）——改变阈值电流，提高外量子效率

本文从理论上分析了介质膜对半导体激光器外特性如阈值电流，外量子效率和最大输出功率等的影响，实验研究结果也表明腔镜镀膜技术能有效地改善半导体激光器的输出特性，且工艺简便，较之设计研制新结构容易实现。     

Dynamic Current Sharing in Paralleling Power MOSFET

By combining the theory with the practice,the dynamic current shar-ing in paralleling power MOSFET is analysed.The principles of choosing parameters in-fluencing dynamic current sharing are described,and some experiment results are given on the basis of these steps.     

膀胱上皮细胞的不对称单位膜结构及其在胚胎发育中的变化

膀胱上皮细胞的不对称单位膜结构及其在胚胎发育中的变化于勤李岫芬程钤丁明孝翟中和（北京大学生命科学学院，北京１００８７１）哺乳动物的膀胱上皮细胞最典型的特征之一是存在着一种特殊的不对称单位膜（ＡｓｙｍｍｅｔｒｉｃＵｎｉｔＭｅｍ－ｂｒａｎｅ简称ＡＵＭ）结...     

3,3',5,5'-四甲基联苯胺在SnO2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究

3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH＜4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0～pH＜7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数.