用Technicolor理论研究稀有辐射衰变Bc→Dsγ

在一代Technicolor(TCI)和带有一个无质量的标量二重态(TCⅡ)模型下,计算荷电的哥尔斯通粒子对衰变B_c→D_sγ的贡献,并把它们同标准模型的计算相比较,发现哥尔斯通粒子对电磁企鹅图的贡献很大(TCI下),在TCⅡ下贡献较小;而对弱湮没图的贡献可以忽略不计,还对同位旋三重态粒子π+p的质量进行了约束. 预言将来在LHC上能对不同模型下的分支比Br(B_c→D_sγ)的差异进行研究,进而对不同的模型进行检验.     

描述中子辐射俘获截面非统计效应的统一表象

基于对俘获态及终态波函数的自洽描述,建立了计算核子辐射俘获反应非统计效应的统一表象.应用这一模型对²⁷Al、⁵⁵Mn、⁸⁹Y和²⁰⁸Pb等四个核素在中子能量为0。1—20MeV能区计算了中子辐射俘获截面,并与实验值进行了比较.     

有源诱骗系统抗反辐射导弹

反辐射导弹是雷达系统的最大威胁，抗反辐射导弹攻击是雷达系统面临的重要问题之一。本文分析了多点相非相干有源诱骗系统，推导出多点非相干有源诱骗系统的功率质心是反辐射导弹的瞄准点，并进一步讨论了多点非相干有源诱骗系统的选择。     

雷达天线抗反辐射导弹摧毁的工程设想

雷达生存面临着反辐射导弹的威胁，如何将现在大量雷达置入防导弹的的掩体中而不影响探测威力，是本文的出发点。本文内容包括：电磁波透射到掩体中的能量损耗分布，反射中的能量损失分析和掩体结构考虑。     

掠入射,全反射及其在X射线荧光分析中的应用

掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析，给Ｘ射线荧光分析技术带来了突存性的发展。目前，利用全反射Ｘ荧光分析技术对微量元素进行分析，其检测限已达到ｐｇ级，硅片表层杂质分析的检测限达到１０＾９个原子／ｃｍ＾２。文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子。     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｌ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据，实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０＾１５ｃｍ＾－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致，这被解释为长江红外高背景辐射的结果。