毛细管电泳法测定人发中铝

用毛细管离子分析 (CIA)法 ,采用 10mmol·L- 1咪唑为背景电解质 ,4 0 %甲醇为选择性改性剂 ,在 pH 2 .5、分离电压为 2 5kV、柱温为 2 2℃的电泳条件下 ,采用间接紫外检测 (2 14nm ) ,在5min内测定了人发中铝 ,方法简便、快速、灵敏度高、重现性好、测定成本低     

今日国外物理

 1 美学者宣称黑洞存在可望得到证实据合众国际社报道,美国天文学学会在一次会议上公布了哈勃太空望远镜拍摄的壮观照片,证实在一个遥望星系的中心处,有一个巨大黑洞正把星体吸进去,喷发出由辐射与热气组成的湍流.在这幅哈勃照片上还发现:在M-87星系中心有一个星体凝聚和象点那样的亮光源,距地球5200万光年;若其速度符合理论预测,那将最终证明黑洞的存在.     

高速发展的光学光刻技术

光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。     

长波长、高灵敏度的InP／InGaAs谐振腔光电探测器

本文报道了一种能够实现高速、高灵敏度的InP基谐振腔增强型（RCE）光电探测器。它采用衬底入光方式，解决了在InP衬底上外延生长的InP/InGaAs介质膜分布布拉格反射镜（DBR）反射率低的问题，该探测器的吸收层厚度为0.2μm，在波长1.583μm处获得了80%的峰值量子效率，同时为了降低探测器的固有电容，利用质子注入技术使得器件的部分电极绝缘，实验结果表明质子注入不影响RCE光电探测器的量子效率。     

紫外预电离TEA CO2激光器初始电子密度的分布

本文对紫外预电离TEA CO2激光器主电极间预电离出的电子密度进行了探讨，分析了产生光电离的离化机理，给出了电子密度的变化规律。结果表明电子密度的横向分布很不均匀，从而提出了使其均匀化的简单方法。     

新世纪元年电子元器件集锦

<正> EUV光刻技术 芯片(chip)是信息产业的物质基础,当前芯片工业的发展方向还是在不断减小芯片的特征线宽,从而使芯片的功能增强、速度升高、功耗降低。今天大批量生产的芯片的特征线宽已做到180～150nm,英特尔(Intel)公司已决心投巨资75亿美元改造生产设备和技术,将芯片生产工艺技术由线宽180nm提高到130nm。 决定芯片特征线宽的工艺技术中,光刻是关键。由于光的波粒二象性,当芯片的特征线宽和光刻用的光波长相近时,光刻技术的适用性就成了问题。所以开发光源波长更短的新一代光刻技术,就成了世界芯片制造商共同关心的问题。 1998年,以Intel、AMD、Infineon、MICRO Technology和Motorola五家芯片制造商为骨干的半导体制造商联合体,联合桑地亚(Sandai)国家实验室、利弗莫尔(Livermore)的劳伦斯(Lawrence)国家实验室和伯克利(Berkly)的劳伦斯国家实验室组成EUV有限责任公司(EUVLLC),集资2.5亿美元联合开发下一代芯片的光刻技术EUV。 三年前,在全球半导体工业联合体讨论会上,专家们预言,下一代光刻技术会从下面的5个当中胜出:X射线光刻、离子投影光刻、直写电子束光刻、电子投影光刻和EUV光刻。经过最近几年的研究开发,除EUV外,其他四     

多元探测器在玫瑰扫描红外亚成像系统中的应用

玫瑰扫描红外亚成像系统是利用玫瑰扫描机构和红外单元探测器构成的一种亚成像系统。提出了一种利用多元小面阵来替代单元探测器的红外亚成像系统 ,可以提高成像系统的空间分辨率和帧频。分析了系统的原理 ,并给出了系统的构成框图。此外 ,就玫瑰扫描成像系统中应用多元探测器可能出现的问题进行了讨论 ,并提出了解决方案。结果表明 ,这种多元小面阵玫瑰扫描成像系统的成本远低于焦平面阵列探测器红外成像系统 ,在性能改善后是诸如末制导炮弹等低成本应用场合的理想红外成像系统     

MAMA紫外探测器系统与高增益MCP（三）

介绍了多阳极微道板阵列（ＭＡＭＡ）紫外探测器系统的最新结构与性能，以及高增益ＭＣＰ工作的基本特性，并给出了对各类高增益ＭＣＰ测试的结果。     

用于雷达的高速半导体激光器和探测器

介绍用于雷达的高速半导体激光器和探测器的特性,综述了这类器件的研究进展,重点讨论具有高的调制带宽的高速量子阱激光器和具有高的收集效率的高速PIN光电探测器.