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191.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
192.
有关日凌干扰的研究虽然人们已做过很多工作,但对日凌干扰的程度与各个参量之间的关系研究较少。把足以反映日凌干扰整个变化过程的特征量-门限载噪比(C/N)作为分析与研究的中心,从总体上把握日凌干扰过程,提出了相关模型,给出了日凌干扰时理论预测值及其载噪比的变化规律。 相似文献
193.
纳米晶双相稀土永磁合金作为永磁体广泛应用于工业电动机和工业仪表中 ,但对该材料的电子显微结构分析报道较少 ,主要原因是该材料的透射电子显微镜薄膜样品的制备极为困难。原因是 :其一 ,该材料具有极高的脆性 ,以致在制作过程中用镊子夹取时样品极易碎裂 ,使制备过程失败 ;其二 ,由于所制备材料工艺限制 ,这种材料的宽度一般在 1 2~ 2 5mm ,厚度在 30~ 6 0 μm ,传统的制作方法需要经过机械打磨、3大小的薄膜剪切 ,才能将该材料用电解双喷方法或离子薄化技术制成透射电镜薄膜样品 ,但上述方法一般均需要原始试样的宽度不低于3m… 相似文献
194.
简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少和清除微通道板的吸附气体,另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器,以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法,该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命,还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现,不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破,还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高,同时还要结合和拓展选通电源的应用。 相似文献
195.
196.
在backstepping程序中,把非线性自适应控制和鲁棒控制连接起来,为参数化的严格反馈系统在不确定性存在的情况下,建立了一种鲁棒自适应控制方案.非线性自适应控制被用来处理系统的线性参数化部分,而鲁棒控制通过引进非线性阻尼项被用来处理不确定性部分.与现有的方案不同,作者给出了非线性阻尼项的无限种选择,而不是仅仅一种选择.通过使用一种合适的选择,能够设计一个鲁棒自适应控制器.它不仅能够保证对不确定性的鲁棒性,而且能够使输出误差任意小,以及用较小的控制努力取得较好的性能. 相似文献
197.
198.
199.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献
200.