首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   20057篇
  免费   2946篇
  国内免费   4078篇
化学   5904篇
晶体学   191篇
力学   1000篇
综合类   351篇
数学   2204篇
物理学   3813篇
无线电   13618篇
  2024年   186篇
  2023年   679篇
  2022年   803篇
  2021年   820篇
  2020年   525篇
  2019年   599篇
  2018年   407篇
  2017年   635篇
  2016年   694篇
  2015年   823篇
  2014年   1490篇
  2013年   1193篇
  2012年   1354篇
  2011年   1670篇
  2010年   1275篇
  2009年   1372篇
  2008年   1496篇
  2007年   1181篇
  2006年   1131篇
  2005年   1164篇
  2004年   949篇
  2003年   971篇
  2002年   775篇
  2001年   699篇
  2000年   551篇
  1999年   462篇
  1998年   472篇
  1997年   445篇
  1996年   377篇
  1995年   374篇
  1994年   335篇
  1993年   216篇
  1992年   226篇
  1991年   199篇
  1990年   222篇
  1989年   198篇
  1988年   27篇
  1987年   29篇
  1986年   13篇
  1985年   10篇
  1984年   8篇
  1983年   9篇
  1982年   4篇
  1981年   4篇
  1980年   2篇
  1979年   1篇
  1978年   1篇
  1977年   1篇
  1963年   1篇
  1959年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 744 毫秒
121.
宽带无源光网络   总被引:4,自引:0,他引:4  
在当今的通信领域 ,光通信是和IP技术并列的两大热点技术之一 ,其发展的速度和广度都超出以往。为了进一步介绍光网络中各种技术的最新发展情况 ,提供应用的经验和组网案例 ,我刊策划了本期“光网络”专题 ,并特别邀请了中国电信集团公司总工程师韦乐平担任本期专题的总策划。光网络所涵盖的技术内容非常丰富 ,从光器件到传输协议再到管理模型 ,韦乐平总工所撰写的《光通信系统技术的发展与展望》将为读者展开整个光通信最新发展的画卷 ,使读者能全面地了解光网络的概貌。光网络在OSI模型中属于物理层 ,因此光器件和设备在整个技术中占据了非常重要的地位 ,《光网络中关键光电子元器件》和《光交换设备及其关键技术》分别从不同的侧重点对未来全光网络所涉及到的关键器件进行了深入的介绍。WDM是整个光网络中的核心传送技术 ,在长途骨干网中得到了广泛的应用 ,并已经开始进入城域网领域 ,读者可以在本期专题的多篇文章中了解到WDM的最新发展 ,而深圳电信关于10Gbit/s系统的应用实例和相关经验 ,希望能给运营商的技术人员提供新的思路。自动交换光网络 (ASON)是近来最新发展光网络的控制方案 ,也是下一代全光网络的重要组成部分 ,尽管其尚处于发展阶段 ,但读者还是能从《自动交换光网络(ASON)》一文中发  相似文献   
122.
ATM-PON是光纤接入网的重要技术。文章研究了业务穿越ATM-PON接入网的延时和延时变化性能,着重分析媒体接入控制协议对业务延时和延时变化性能的影响。研究结论对ATM-PON媒体接入控制协议的合理设计有很大的帮助。  相似文献   
123.
基于阿贝尔黑格斯变量的杨-米尔斯理论的红外阿贝尔化   总被引:1,自引:0,他引:1  
贾多杰 《中国物理 C》2006,30(3):196-200
通过SU(2)规范场的法捷耶夫-Niemi分解给出了有效阿贝尔-黑格斯型作用量的 一个计算方法. 具体指出了该分解中所用的自然规范固定以及阿贝尔投射与杨-米尔斯理论的红外动力学之间的内在关系. 推导出了色电场的一个伦敦型方程.  相似文献   
124.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长   总被引:2,自引:2,他引:0  
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。  相似文献   
125.
X分形晶格上Gauss模型的临界性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
李英  孔祥木  黄家寅 《物理学报》2002,51(6):1346-1349
采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词: X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质  相似文献   
126.
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.  相似文献   
127.
本文借助对图的本质独立集和图的部分平方图的独立集的研究,对于K1,r图中哈密顿圈的存在性给出了八个充分条件。我们将利用T-插点技术对这八个充分条件给出统一的证明,本文的结果从本质上改进了C-Q.Zhang于1988年利用次形条件给出的k-连通无爪图是哈密顿图的次型充分条件,同时。G.Chen和R.H.Schelp在1995年利用次型条件给出的关于k-连通无K1,4图是哈密顿图的充分条件也被我们的结果改进并推广到无K1,r图。  相似文献   
128.
亚皮秒光脉冲在密集色散管理光纤中的传输特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
文章从包含高阶效应的非线性薛定谔方程出发,基于一种二阶和三阶色散都作了完全补偿(零路径平均色散)的光纤级联系统模型,用数值法对亚皮秒(几百飞秒)高斯光脉冲在密集色散管理光纤(放大周期远远大于色散补偿周期,La>>Lc)中的传输特性做了研究.结果表明啁啾化亚皮秒光脉冲在短周期色散补偿光纤中可以实现稳定传输.色散管理的密集化程度越高,即色散补偿周期越短,光脉冲在光纤中传输时的呼吸度越小,前后脉冲间的相互作用也越弱,有利于提高光纤传输系统的性能.此外,由于色散管理孤子的系统功率较小,因此高阶非线性项的影响不大.  相似文献   
129.
李建宏 《信息技术》2002,(1):65-65,67
针对企业集团分权化管理的缺点,设计出一套利用互联网络技术实现企业集团财务集中控制的模式,给出了模式的图示及说明。  相似文献   
130.
王薇  张杰  赵刚 《物理学报》2006,55(1):287-293
利用辐射流体力学程序对三倍频纳秒激光与靶物质相互作用进行了模拟研究,得到了可以产生黑体辐射谱分布的激光等离子体X射线辐射靶的最佳厚度;数值模拟研究了黑体谱分布的X射线辐射场对等离子体系统平均离化度分布的影响,它有助于深入理解天体物理中吸积盘对它周围星际物质的离化影响. 关键词: 辐射流体力学 激光等离子体 X射线辐射 吸积盘 离化  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号