等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

双稳态液晶显示器（二）

介绍一组零场双稳态液晶显示器的基本原理和结构。本节着重介绍顶点双稳态向列相液晶显示器的工作原理和制作。     

光学分数傅里叶逆变换的无透镜模式

用波前相因子判断法，将球面波照明物体的自由空间菲涅耳衍射光场分布与分数傅里叶逆变换的标准频谱分布进行位相比较，提供了广义条件下光学分数傅里叶逆变换的无透镜模式，给出其光学实现基本单元参量选择的判定法则，计算机模拟实验证明了结论的可靠与可行。     

无衍射发散光束的判据

本文给出了一个关于无衍射发散光束的简易判据。     

无导轨绝对距离测量技术的研究

本文概述了基于小数重合法的无导轨绝对距离测量技术并报导作者研制的多波长无导轨绝对距离测量系统。通过谐振腔腔长的调谐，形成二级合成波长值分别为１ｍ、１１．１ｍｍ，测量精度可达５μｍ±１×１０（－１）×Ｌ（Ｌ为被测长度）。     

无刷交流同步发电机励磁系统的DSP控制

本文介绍了一种利用DSP完成无刷交流同步发电机励磁系统的控制方法,并给出了该芯片在实际应用中的硬件接口方案和软件流程图。     

关于图的直径和平均距离

图的直径和平均距离是度量网络有效性的两个重要参数．Ore通过图的顶点数和直径给出无向图的最大边数．Entringer，Jakson，Slater和Ng，Teh通过图的顶点数和边数分别给出无向图和有向图平均距离的下界．该文提供这两个结果的简单证明，给出有向图类似Ore的结果，并通过图的直径改进Entringer等人的结果到更一般的情形．结合本文和Ore的结果，可以得到一个无向图和有向图平均距离的下界，它比Plesnik得到的下界更好．     

EPON:下一代接入网的最佳选择

EPON技术具有大带宽、高性价比、结构简单和一定服务质量保证等特点,被业界普遍看好,成为 下一代接入网的最佳候选技术.本文主要介绍了EPON的工作原理、分层结构、接入控制和组帧方式,最后给出 了实现EPON的关键技术和难点以及EPON的发展近况.     

CMOS图像传感器的最新进展及其应用 (续)

主要介绍CMOS图像传感器的发展现状,最新进展、市场前景及其在医学上的应用。