基于高非线性Sagnac干涉仪的超高速全光NOT门可级联性研究

在未来的通信领域中,全光逻辑门是全光计算机和全光网络的基本单元。目前已经提出了很多实现全光逻辑门的结构和方法,但是全光逻辑的技术瓶颈也出现了,就是怎样能够将单个的全光逻辑门级联起来实现更复杂的逻辑关系。现存的全光逻辑门结构一般不具有很好的可以实现多级连接的级联性,而且现有的对于级联性的分析大都停留在理论层面,而没有与实际情况相结合,所以对于实际应用来说意义很小。提出了一种新型的基于高非线性Sagnac 干涉仪的超高速全光NOT 门,建立了它的数学模型,采用了与实际情况更加接近的高斯脉冲模拟输入光,并且在仿真结果的基础上分析了系统的级联性,对级联性的分析考虑了光纤损耗和走离效应的影响。得到的基本结论表明,所提出的全光逻辑门的结构能够在实际情况下保持良好的级联性。     

某型火箭炮捷联惯导在线标定方案研究

针对火箭炮在射前准备阶段里只能进行两自由度的角运动,造成部分参数不可观的缺陷,在基于对火箭炮进行制导化改造的背景下,提出了在射前准备阶段加入横滚运动的标定方案以及相应的可观测度分析方法。首先建立了21 维误差模型;而后运用可观测度分析方法对误差参数的可观测度进行了分析,对三个阶段进行了比较,表明横滚运动可使多个参数变得可观,并且其他参数可观测度也大幅提升;最后,采用奇异值分解的方法对所提出的标定方案和可观测度分析方法进行仿真验证,结果表明:除x 轴陀螺刻度系数误差外,其余参数奇异值基本都大于1,与可观测度分析方法的结论一致,充分体现了横滚运动对误差参数估计的有效性以及可观测度分析方法的可行性。     

碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响

针对不合腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响.在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦化的影响.实验结果表明:动态抛光速率和静态腐蚀速率均随着氧化剂体积分数的增加先逐渐增大,达到最大值,然后下降,趋于平缓.片内非均匀性和剩余高低差均随H2O2体积分数的增加,先呈下降趋势,后缓慢上升.当氧化剂体积分数为3％时,动态去除速率(vRR)为398.988 nm/min,静态腐蚀速率vER为6.834 nm/min,vRR/vER比值最大,片内非均匀性最小为3.82％,台阶高低差最小为104.6 nm/min,此时晶圆片有较好的平坦化效果.     

铜柱凸块生产关键工艺技术研究

讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响.研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流密度下,籽晶层越厚,晶圆应力越大;相同的籽晶层厚度下,随着电镀电流密度增加,晶圆应力增加,但增加速率逐渐变慢;低电流密度下铜柱凸块顶部形成盘碟形状的剖面结构,而高电流密度容易使铜柱顶部形成圆拱剖面结构;采用阶梯电镀速率电镀方法与均一慢电镀速率电镀出的铜柱凸块共面性一致,而采用阶梯电镀法既能够提高电镀效率又可以得到较好的铜柱顶部盘碟形剖面结构.     

一种用于VCO供电的低噪声LDO

设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为－70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为－47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为－27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。     

一种高增益多级运算放大器的设计

为了保证运算放大器在深亚微米量级也能提供足够的增益,三级运算放大器的研究成为近年的热点内容。基于SMIC 0.18 μm工艺设计了一种三级运算放大器,前两级采用折叠共源共栅结构,在提供足够直流增益的同时增加了输入输出摆幅,并且采用DFCFC补偿方案使整体性能得到优化。在3.3 V电源电压下,负载为5 pF电容时,直流开环增益为155 dB,单位增益带宽达到了32 MHz,相位裕度为56.09°。仿真结果表明,设计的三级运算放大器具有较理想的频率响应和瞬态响应,并且所需的补偿电容值较小,芯片面积得到优化,较容易在CMOS工艺下实现。     

一种用于超高频无源标签芯片的整流器设计

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,提出了一种适用于无源UHF RFID标签芯片的CMOS整流器。与传统二极管连接方式的MOS管相比,使用了一种不同的二极管连接方式的MOS管,减小了阈值电压和漏电流。利用新结构实现了一个5级电荷泵整流电路。测试结果表明,当输入0 dBm信号时,整流器的转换效率为29.24%。整体芯片的面积是(0.7 × 0.6) mm²。     

一种16位600 MS/s电流舵D/A转换器的设计

基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种16位600 MS/s电流舵D/A转换器。该D/A转换器为1.8 V/3.3 V双电源供电,采用并行输入、差分电流输出的四分段(5+4+3+4)电流舵结构。采用灵敏放大器型锁存器可以精确锁存数据,避免出现误码;由恒定负载产生电路和互补交叉点调整电路组成的同步与开关驱动电路,降低了负载效应引起的谐波失真,同时减小了输出毛刺;低失真电流开关消除了差分开关对共源节点处寄生电容对D/A转换器动态性能的影响。Spectre仿真验证结果表明,当采样频率为625 MHz,输入信号频率为240 MHz时,该D/A转换器的SFDR为78.5 dBc。     

无源光网络中的ONU干扰问题研究

来自于故障ONU(光网络单元)的异常上行光信号干扰是PON(无源光网络)中常见且难以彻底避免的问题,严重威胁着PON的稳定运行。文章针对ONU干扰问题,描述了ONU干扰的几种现象与可能原因,总结了典型的长发光告警检测方法,对故障ONU的定位方法进行探讨并对比了几种方法的优缺点,给出了一种在ONU侧对干扰问题进行异常防护的机制。     

基于模糊控制的电动汽车再生制动系统的研究

再生制动能够降低能源的消耗量和延长电动汽车的行驶里程。它广泛的受到诸多学者的关注。本文提出了一个新颖的再生制动控制系统。该系统基于无刷直流电机的控制特性和电动汽车刹车时的制动特性,直流无刷电机采用传统的PID控制,刹车力采用模糊逻辑控制,刹车力矩可以由PID控制器实时的控制。通过Matlab/Simulink软件,仿真分析了电池的充电状态、制动力和直流侧线电流。实验和仿真结果均证实了在具有良好的刹车性能的前提下,该方法可以实现良好的再生制动性能和延长电动汽车的行驶里程,在工程上更加易于实现也具有更好的鲁棒性和更高的效率。