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961.
数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性 总被引:1,自引:1,他引:0
半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^+-P-N-N^+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断特性的影响。结果表明:P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L^-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值减小。该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值。 相似文献
962.
《电子工业专用设备》2010,(12):56-57
日前,应用材料公司发布了基于Applied Centura Silvia^TM刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。 相似文献
963.
随着微波技术的日渐成熟和发展,毫米波以其受环境干扰小,可全天候工作等显著特点成为军事、生活、医学等领域的重要技术。传统的毫米波扫描采样控制系统硬件系统选用元器件较多,结构比较复杂,消耗功率较大,成本较高,不利于升级换代和小型化制造。在概括介绍毫米波工作原理的基础上,主要研究了以TMS2812 DSP芯片为控制核心的无源毫米波成像系统前端设备的系统构架,以及之后的器件选用和系统搭建,该系统有效地克服了传统系统的不足,在实现功能的基础上降低了功耗,简化了结构。 相似文献
964.
微波超视距无源探测关键技术研究 总被引:1,自引:1,他引:0
微波超视距无源探测系统具有探测威力远、信号适应能力强、系统简单可靠等优点,近年来受到各国的重视,得到了较快的发展.文中介绍了微波超视距无源探测系统国外的发展情况、对流层散射传播信号实现超视距探测的工作原理、系统组成、性能,重点分析了对流层散射损耗的计算方法,并给出了探测距离与辐射源功率和频率的关系曲线,最后分析和研究了系统的关键技术. 相似文献
965.
966.
系统硬件系统设计
本设计采用单片机作为主要控制部件,通过键盘预置输出电流值并采用液晶模块实时显示。整个系统硬件部分由微控制器模块、电压-电流转换模块、键盘模块、显示模块、直流稳压电源模块和语音提示模块组成。系统结构框图如图1所示。 相似文献
967.
1Gb/s CMOS调节型共源共栅光接收机 总被引:3,自引:3,他引:0
基于特许0.35μm EEPROM CMOS标准工艺设计了一种单片集成光接收机芯片,集成了双光电探测器(DPD)、调节型共源共栅(RGC)跨阻前置放大器(TIA)、三级限幅放大器(LA,limiting amplifier)和输出电路,其中RGCTIA能够隔离光电二极管的电容影响,并可以有效地扩展光接收机的带宽。测试结果表明,光接收机的3dB带宽为821MHz,在误码率为10-9、灵敏度为-11dBm的条件下,光接收机的数据传输速率达到了1Gb/s;在3.3V电压下工作,芯片的功耗为54mW。 相似文献
968.
969.
970.