PON演进及烽火解决方案特色

分析了PON的发展现状、技术演进方向及运营商网络需求,探讨了PON的发展趋势,最后介绍了烽火FTTx解决方案的特点。     

基于相位差变化率的单站无源定位技术

提出以相位差变化率为观测量,UKF逐步逼近目标位置的定位算法,有效解决了单站无源定位中收敛速度和定位精度问题。该算法以相位差变化率为观测量,消除了由于相位差中存在固定偏差对定位精度影响,提高了定位精度。而引进的UKF滤波算法则省去对观测方程的雅各比矩阵计算,简化滤波了运算,使定位过程更容易实现,从而提高定位滤波运算速度。     

低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制

利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。     

低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源

提出了一种新颖的CMOS带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(OTA),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(TC)的参考电流。该电路采用SMIC0.13μm标准CMOS工艺,可在1.2 V的电源电压下工作,有效面积为0.045 mm2。仿真结果表明,在-40～85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1 V时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1 mV/V。     

无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错

Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件.介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件.实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产.     

诱导血红素氧合酶-1及雷帕霉素对PDGF诱导的大鼠平滑肌细胞表型转化的抑制作用

目的观察血红素氧合酶-1(HO-1)与雷帕霉素对血小板源性生长因子-BB(PDGF-BB)诱导的大鼠血管平滑肌细胞(VSMCs)表型转化的作用。方法原代大鼠VSMCs给予PDGF-BB诱导表型转化。同时给予不同剂量的血红素氧合酶诱导剂氯血红素诱导HO-1的表达,和雷帕霉素共培养24h。结果PDGF-BB20nmol/ml作用原代VSMCs24h后,SM-α-actin与PCNA表达减弱,PCNA表达增强。氯血红素诱导HO-1后可以抑制PDGF-BB诱导的VSMCs表型改变,并且随剂量的增加,抑制强度增加。较低剂量的雷帕霉素可以抑制PDGF诱导的VSMCs表型转化。结论PDGF-BB亚型可以促进原代培养的大鼠VSMCs由收缩表型向合成表型转化,给予氯血红素诱导HO-1表达可以对抗PDGF-BB诱导的大鼠VSMCs表型转化,并呈剂量相关。     

一种用于大功率D类功率放大器的快速启动LDO

D类放大器的输出级晶体管始终工作在开关模式,效率很高,在便携式电子领域得到广泛应用.采用CSMC 0.5 μm BCD工艺,设计了一款应用于大功率D类放大器的低压差线性稳压器,对其结构和工作原理进行分析,重点讨论了各个关键电路模块的设计,改善了电源抑制比和启动时间.LDO的PSRR为100 dB @ 1 kHz,启动时间18 μs,负载能力225 mA,工作电压范围5.5～18 V,最小压差0.5 V,温度系数54×10-6/℃.     

两级运放中共模反馈电路的分析与设计

在两级共源共栅CMOS运算放大器中,设计了一种新的共模反馈电路。这种电路克服了一般共模反馈电路存在的限制输出摆幅的缺点,在稳定电路直流工作点的同时,能有效提高电路的输出摆幅。通过对共模电路结构的分析,证明了其功能原理的正确性。基于0.18μm(3V)CMOS工艺库,用Hspice软件对电路结构进行了仿真验证。结果显示,电路低频增益达到120dB,功耗不到0.24mW。     

一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。     

基于Simulink的数控振荡器性能仿真研究

在FPGA中用查找表技术实现数控振荡器是软件无线电研究的重要内容。累加器步长、累加器控制字等参数决定NCOs的性能,频谱纯度是衡量NCOs的关键指标。借助Simulink仿真平台分析得出相位截断对频谱纯度的影响远大于幅度值的量化。提出相位加抖技术及三种实现提高无杂散动态范围的方法。由仿真分析看出,通过恰当的相位加抖可以极大地提高SFDR。