光纤光缆用材料的现状与发展

近几年来，光纤光缆通信技术发展迅猛，光纤光缆用材料也在不断更新，本文综述了光纤及其涂覆材料，光纤光缆用阻水和阻燃材料的现状及其未来的发展方向。     

193nm光刻技术进展和问题

光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生     

用导热性半固化片制造印制板

导热性半固化片对制造导热性电路板,近来变得通用了。实际上,印制电路板是用部分固化的(B-阶段)环氧树脂片或膜,即众所周知的半固化片加工的。半固化片在许多环氧,聚酰亚胺、氰酸脂和PTFE/玻璃纤维组成中是通用的,是为满足工业对高温稳定性、低介电常数和低热膨胀的要求而设计的。 然而,直到现在才能够提供导热的半固化片,同时对制造的PCB保持必要的电气绝缘。现在有效应用的导热的和电气绝缘的半固化片比标准FR-4半固化大10倍以上的导热率和1.5倍以上的介电强度。这些双重性质使之作为电路板组成部分之金属散热器的实际应用     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y／InP量子阱材料的光荧光谱实验室

给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。