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991.
介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。 相似文献
992.
设计了一款线性可调差动变压器(LVDT)信号调理芯片,内置低失真正弦波振荡器驱动LVDT初级线圈,且通过调节外接电阻和电容改变振荡器输出波形的幅值与频率,使该芯片可适用于不同类型的LVDT。LVDT次级线圈输出信号由两个正弦波组成,直接驱动信号调理电路部分,该部分采用了独特的比值架构,消除了传统整流方式存在的各种问题,如需补偿LVDT原边与副边的相位偏移以及温度、频率变化引起的偏移。芯片外围线路简单,仅需极少量外接电阻、电容即可实现将LVDT的机械位移量高精度和高线性度地转换成单极性或双极性的直流电压信号。整体电路完成仿真验证并进行了流片。芯片测试结果表明,满量程输出电压≥±10 V,线性度≤0.05%,输出电压纹波有效值为4.49 mV。该芯片使用方便,成本低,极具市场应用价值。 相似文献
993.
Optimal design of APD biasing circuit 总被引:1,自引:0,他引:1
SUN Chun-sheng QIN Shi-qiao WANG Xing-shu ZHU Dong-hua 《光电子快报》2007,3(3):237-240
This paper proposes a control method for avalanche photodiode(APD) reverse bias with temperature compensation and load resistance compensation. The influence of background light and load resistance on APD detection circuit is analyzed in detail. A theoretical model of temperature compensation and load resistance compensation is established,which is used for APD biasing circuit designing. It is predicted that this control method is especially suitable for LD laser range finder used on vehicles. Experimental results confirm that the design proposed in this paper can considerablely improve the performance of range finder. 相似文献
994.
反射式红外传感器在智能型节水系统中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
傅和平 《光谱学与光谱分析》2007,27(3):507-509
利用反射式红外传感器和少量的电子器件(单稳态触发器),研制了智能型节水控制系统。该系统能够识别是否有人入厕,酌情产生冲洗信号, 躯动进水电磁阀开启,向浮球式水箱内注水,待注满足以冲刷干净所需的两水箱水后,便自动地切断电磁阀中电源,达到了既卫生又节约的目的。在某一教学楼应用该系统一年多来,与无使用此系统的同规模另一教学楼相比,节水约70%。该系统元件少、成本低、结构合理、工作可靠、安装容易、维修方便,有广阔的应用前景。 相似文献
995.
996.
用于显示的透射型法布里-珀罗光调制器 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了一种用于显示的,基于透射型法布里-珀罗干涉的微机电系统(MEMS)光学调制器。基于多光束干涉原理分析了调制器的光学特性,推导出了调制器结构的特征参量。分析表明,当调制器的腔长为cλ/4时,透射光可以实现暗态显示;当调制器的腔长取为零或cλ/2时,透射光可以实现亮态显示。通过控制法布里-珀罗腔长,就可实现调制器的明暗调制。理论上证明了该调制器用于显示的可行性。设计了一种基于微机电系统的透射型法布里-珀罗光学调制器结构,该调制器的理论衬比度达到150。仿真结果表明,该调制器具有2.4 V的低电压静电驱动性能。 相似文献
997.
998.
基于低温共烧陶瓷(LTCC)电路基板和高硅铝合金封装载体互联的多通道T/R组件对互联界面质量要求高。为了优化大尺寸LTCC基板与高硅铝合金载体钎焊后的互联强度,该文采用试验设计方法设计了大面积LTCC基板与CE11高硅铝合金载体,并进行了焊接试验,利用主效应法识别出影响焊接强度的关键工艺因素是183~140℃内降温速率及焊接峰值温度,并采用回归分析法得到以上两类参数与界面焊接强度的关系模型。通过基于随机梯度下降的Adam算法得到最优的焊接工艺参数:降温速率为0.967℃/s,峰值温度为230℃。基于优化后的工艺参数可得验证样件界面焊接强度为23.6 MPa,与优化后模型预测值的相对误差为2.1%,这证明该文的研究对大尺寸基板与高硅铝合金载体钎焊后界面强度有显著的预测和提升作用。 相似文献
999.
1000.
宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多,具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带功率放大器的应用。本文基于GaN功率管的大信号仿真模型,采用宽带匹配技术进行功率管的匹配电路设计。通过ADS软件仿真和优化,设计了一款工作在0.5-4GHz宽频带范围的功率放大器。仿真结果显示,在0.5-4GHz内,功率附加效率(Power added efficiency, PAE)超过60%,增益大于11dB,增益平坦度为±1.5dB,且端口驻波性能良好,满足了发射机系统的要求。 相似文献