首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   40499篇
  免费   3305篇
  国内免费   684篇
化学   256篇
晶体学   33篇
力学   737篇
综合类   212篇
数学   868篇
物理学   3497篇
无线电   38885篇
  2024年   236篇
  2023年   887篇
  2022年   944篇
  2021年   1057篇
  2020年   754篇
  2019年   899篇
  2018年   484篇
  2017年   864篇
  2016年   1020篇
  2015年   1145篇
  2014年   2096篇
  2013年   1700篇
  2012年   2246篇
  2011年   2229篇
  2010年   2151篇
  2009年   2588篇
  2008年   2961篇
  2007年   2409篇
  2006年   2365篇
  2005年   2544篇
  2004年   2185篇
  2003年   1857篇
  2002年   1467篇
  2001年   1250篇
  2000年   940篇
  1999年   813篇
  1998年   758篇
  1997年   689篇
  1996年   581篇
  1995年   544篇
  1994年   412篇
  1993年   279篇
  1992年   295篇
  1991年   235篇
  1990年   240篇
  1989年   278篇
  1988年   30篇
  1987年   17篇
  1986年   8篇
  1985年   9篇
  1984年   9篇
  1983年   6篇
  1982年   1篇
  1981年   2篇
  1980年   1篇
  1977年   1篇
  1975年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 7 毫秒
231.
日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案,它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合,可以承受30V电压,可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压,一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。  相似文献   
232.
光纤数字链路的监控系统陈子云1监控系统的等级划分在光纤数字传输系统中,总有一个级别最高的端站,它可以监视全线各个局站的设备运行情况,称之为主站。全线主站只有一个,应为业务领导局;除主站之外的各个端站,称之为从站。从站和从站之间也有一个监控等级的划分,...  相似文献   
233.
234.
本文从DME—450P基本组成、性能分析入手,简介了它引起图像变化的原因及一些处理方法。  相似文献   
235.
236.
对于周期有限取样序列,用有限取样内插函作重构即可无失真地恢复在函数。从以下两方面论证了上述有限取样内插函数;(1)无限取样函数sin(πt)/(πt)在有限区间的混叠;(2)三角多项式内。  相似文献   
237.
PACS与PHS系统的比较   总被引:2,自引:0,他引:2  
DECT,PHS,PACS3种无绳电话系统,目前已成世界上的地区标准。由于PAPCS和PHS两系统在多方面有共同之处,因此,本文对这两系统的异同进行分析比较。  相似文献   
238.
韩伟 《有线电视技术》2007,14(2):115-117
1前言韩国是我国近邻,国土面积只有9.9万平方千米,与我国的960万平方千米相比甚小,与日本相比也仅约有其1/4。人口约4800万人(约1500万户),而且近一半住户居住在首都圈,即包括首尔特别市、仁川广域市、京畿道在内的地区。全国电视机普及台  相似文献   
239.
刘积学  廖代材 《压电与声光》1996,18(3):145-150,165
报道声表面波可程序抽头延迟线的研制情况。对该器件的总体结构,电路原理框图、声表面波可程序抽头延迟线结构作了一个扼要的概念。同时分别报道了我所研制的各类声表面波可程序抽头延迟线器件性能指标及相应的图片说明,最后对该器件仍存在的一些问题作了探讨。  相似文献   
240.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(5):339-341
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号