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141.
ZSM-5是一种由Si(Al)O4四面体单元构成的沸石分子筛,具有正交结构,n=2.010nm、b=1.910nm、c=1.340nm。沿着[010]和[100]方向分别有直线型和正弦型的十圆环孔道,已有研究提出ZSM-5中掺入过渡族金属会促进烷烃的脱氢反应。本工作利用高分辨电子显微学方法配合EDS分析研究了在Fe掺杂  相似文献   
142.
基于PDA-GPS技术的地理信息采集方法及实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
朱莉  王庆  胡晨 《导航》2004,40(3):86-92
传统的基层土地变更调查需要投入大量的人、财、物力,尤其是野外数据采集部分。针对这一情况,设计一套通过手持信息终端实现野外数据采集的方案,并通过实践验证其可行性.本文介绍了野外数据采集实现的平台以及野外数据采集的总体流程,重点介绍野外数据采集的实现,包括导航电文的接收和解译,测量点通过高斯投影算法在地图上显示。  相似文献   
143.
对日益复杂的消费产品不断增长的需求,引发了应用于消费类电子、汽车、工业和通讯领城的混合信号集成电路的需求急剧上升。时至今日,半导体制造商们把高速的数字逻辑电路和先进的模拟电路集成在一起制造出功能越来越强大的混合信号IC。器件的复杂度在不断上升,但是其售价不可能随之飙升,半导体公司都发现他们面临看这样一个难题,即如何在降低测试成本的同时保证复杂的IC产品的质量。半导体公司发现他们需要改进测试构架、更先进的测试仪器、增强的测试开发环境以取得更高的测试产量并保证在测试上的投资有高的回报。为了应付这些挑战,顶光的测试系统结合了高性能的架构和先进的测试仪器以取得高端测试仪的产量,而所花的成本只是传统ATE系统的一小部分。在ATE上开发应用程序时,新一代的混合信号测试仅不仅能降低测试成本而且可以灵活地适应将来不同应用场合下的需要,这将有力地保护你在测试设备、硬件资源、数字混合器件上的工程投资。本文将要讨论混合信号器件测试的主要趋势,及其对测试成本的影响,和一些新的测试结构,这些新的结构在满足当前测试需求的同时还将有能力灵活地适应未来正在形成的测试需求。  相似文献   
144.
分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电极的pull-in电压几乎比平面下电极的pull-in电压降低一半.  相似文献   
145.
介绍了在城域波分网络中应用的四种环形保护倒换方案及其实现方式,并对各种保护倒换方案的特性进行了分析比较。  相似文献   
146.
叶平  董燕 《现代显示》2003,(1):22-28,47
就“高端彩电”市场问题发表看法和预测。  相似文献   
147.
植涛 《电信科学》2003,19(6):70-71
自动交换光网络 (ASON)技术是如今电信领域的一个热点话题 ,它的诞生首次将光网络由传统的静态租赁式的网络结构转变为动态交换式的网络结构 ,这个转变给运营商带来的不仅是投资的节省、维护的简化 ,更重要的是带来了新的服务业务和网络安全性的大幅提升。1ASON技术的探讨ASON技术是从MPLS(MultiprotocolLabelSwitching)开始 ,后发展到带流量工程的MPLS_TE ,到如今最流行的GMPLS(GeneralizedMPLS) ,其技术一直在发展。由于ASON最初诞生于MPLS ,而MPLS在最初即有基于IP的应用和基于ATM的应用 ,因此在相关信令上就衍生了…  相似文献   
148.
VCSEL的发展现状和市场应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
近年来由于高速光网络的快速发展,使人们对一种新型的半导体激光器——垂直腔面发射激光器(VCSEL)给予了更多的关注,已成为研究开发的热点。本介绍了VCSEL的发展进程、基本结构及较之于侧面发射激光器(包括与LED作比较)的优势,以及近期出现的新技术和封装手段,详细叙述了各波段VCSEL所用的材料、技术、市场应用。最后简述了VCSEL基光收发机的市场状况。  相似文献   
149.
介绍了用单根光纤传输测量信号和功率信号的光功率推动液体压力测量仪及其工作原理。该仪器以电容式压力传感器的δ元件作为压力检测元件,采用低功耗前置器电路和简单直杆结构,实现了便携式测量。测量范围为O~100kPa,精度为O.01kPa。  相似文献   
150.
压敏电阻的缩写是VSR,常作为过压保护器件。从其材料上可分为氧化锌压敏电阻、碳化硅压敏电阻和金属氧化物压敏电阻等;从其用途上可分为超低压压敏电阻、低压压敏电阻、高压压敏电阻、防雷保护压敏电阻和灭弧压敏电阻等。一、结构和特性1.压敏电阻的结构压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成,图1(a)为电路符号:图1(b)为外  相似文献   
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