铁掺杂TiO2纳米管阵列对不锈钢的光生阴极保护

在含FeSO4的HF、H2SO4/HF、NaF/Na2SO4溶液中,通过电化学阳极氧化直接在纯钛表面制备Fe 掺杂的TiO2(Fe-TiO2)纳米管阵列. 应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X 射线光电子能谱(XPS)等手段对纳米管阵列的结构、形貌及化学组成进行表征. 利用光电化学测量研究Fe-TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为. 考察了温度、时间、掺杂含量等参数对TiO2纳米管阵列的几何尺寸、形貌和光电性能的影响. 结果表明, Fe掺杂可有效减缓TiO2纳米管阵列载流子的复合, 窄化TiO2带隙宽度, Fe-TiO2在410-650 nm范围显示强吸收, 并使光谱响应扩展到波长大于400 nm 的可见光区. 实验结果还表明, Fe-TiO2纳米管阵列对316不锈钢(316L)具有良好的光生阴极保护作用, 暗态下阴极保护作用可继续维持.     

纳米硅胶颗粒的制备及其对金属离子的识别

利用sol-gel方法制得了纳米级的硅胶悬浮液.通过表面化学修饰引入了具有发射荧光能力的萘基基团.在稳态荧光研究中清晰地观察到在微小粒子表面上萘基基团会因溶剂不同而发生重新排组,并呈现出激基缔合物发光.研究了不同过渡金属离子对粒子表面荧光的猝灭效应,发现只有Cu2＋对纳米微球荧光有强烈的猝灭特征,这种优良的选择能力使其有望发展成为一种分析检测Cu2＋的荧光化学敏感器.     

多烯化合物的Cope重排反应:[5,5]σ迁移、串联[3,3]σ迁移与自由基重排机理

介绍戊二烯基苯基醚和1,3,7,9-癸四烯衍生物重排反应的机理。戊二烯基苯基醚的重排反应是经过[5,5]和串联的[3,3]σ迁移反应双途径进行的;而1,3,7,9-癸四烯衍生物重排反应既可以经过[5,5]和串联的[3,3]σ迁移反应双途径进行,也可以经过自由基机理进行。     

ZnSn(OH)6的热分解动力学

用TG/DTG联用技术, 在2.5、5.0、10.0、15.0、20.0 K·min-1不同线性升温条件下, 研究了ZnSn(OH)6的热分解过程. 结果表明, 在氮气气氛下, ZnSn(OH)6在298-873 K范围内发生了一步分解. 其失重率与理论计算值相符. 应用非等温多重扫描速率法对热分解过程进行了动力学分析, ZnSn(OH)6在氮气中分解的活化能E=128.77 kJ·mol-1, 指前因子lg(A/s-1)=10.61, 机理函数为Mample单行法则.     

温度及pH值敏感水凝胶的合成和应用

直接将丙烯酸单体与N-异丙基丙烯酸胺共聚交联合成了温度及pH值敏感的水凝胶。包埋于水凝胶中的药物的释放随温度升高和pH值增大而加快，药物的释放兼有温度和pH值敏感性，对pH值的响应更加显著。     

氯离子存在下四苯基卟啉合锰的电化学和现场光谱电化学 I: 还原过程

在二氯乙烷溶液中,研究了氯离子存在下四苯基卟啉合锰,(TPP)Mn(III)ClO~4,各步电极氧化还原的过程机理,证明了Mn(II),Mn(III)中心都只有一个Cl^-配位,其结果使锰卟啉中心金属Mn(III)/Mn(II)的半波电位负和多约100mV,测定了Cl^-与Mn(III)中心的配位反应的平衡常数为2.2×10^4.     

希土离子(Ⅲ)与牛血清白蛋白的相互作用

在ｐＨ，６．３０，３７℃条件下，用离心超过滤法测定了１１种希土离子（Ⅲ）与牛血清白蛋白（ＢＳＡ）的专一性结合常数Ｋ３和非专一性结合常数Ｋｎｓ。并通过ＣＤ，ＵＶ，ＩＲ和荧光光谱研究了Ｔｂ（Ⅲ）和Ｅｕ（Ⅲ）与ＢＳＡ作用的机理。结果表明，Ｋ３和Ｋｎｓ分别与希土离子（Ⅲ）和二元，一元羧酸形成配合物的稳定常数随希土系列原子序数的变化规律相一致。结合部位分布在ＢＳＡ的亲水性表面，参与配位的基团只有谷氨酸，...     

分子电子学的新进展

分子尺度电子学通过构筑基于微尺度电极和单个分子或者少量分子聚集体的"电极-分子-电极"结，研究跨越分子的电荷输运性质.它将分子本征化学特性与器件构筑相结合，考察分子的理化特性与电荷输运的构效关系，揭示微尺度的量子输运动力学原理，并探索基于分子的功能电子器件.是一个集化学、物理学与微电子学为一体的交叉学科.总结整理了分子电子学近些年在器件制备、输运机理及应用方面部分有代表性的进展.     

电感耦合等离子体原子发射光谱专家系统中谱线激发模型

阐述了ＩＣＰ－ＡＥＳ专家系统中ＡＥＳ电离和激发模型的基本原理，研究了模拟中应用ｎｏｎ－ＬＴＥ理论的正确性以及所需的支持数据库。利用Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ曲线，讨论了Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ温度的测量值随能级激发能变化的现象，并与类似条件下的经验Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ曲线进行对比，证明了专家系统中ＡＥＳ电脑和激发模型可靠性。     

Cd2Ge7O16中Tb的长余辉发光特性

本文研究了Cd₂Ge₇O₁₆∶Tb³⁺材料的发光及其长余辉性质。指出Tb³⁺的发光是该离子的 ⁵D₃- ⁷D_J、 ⁵D₄- ⁷D_J两种跃迁产生的；随着掺杂浓度的增加 ⁵D₄- ⁷D_J跃迁增强，发光颜色由蓝变绿。并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱。提出余辉机理模型。