脉冲电晕放电脱除NO化学反应动力学过程

采用非接触的色散荧光发射光谱和时间分辨光谱方法,在大气压条件下,对脉冲电晕放电脱除NO的化学反应动力学过程进行了实验研究。在该研究中,首先利用色散荧光发射光谱方法,得到纯NO气体脉冲电晕放电中各活性粒子的色散荧光谱,并对其进行归属,确定了各活性粒子的灵敏指纹跃迁谱线;在此基础上,通过测量NO气体放电过程中所产生的N+,O,N₂及NO分子的灵敏指纹跃迁谱线的时间行为特性,研究脉冲电晕放电脱除NO的化学反应机理。实验结果表明：在脉冲电晕放电过程中,NO分子首先与高能电子发生非弹性电离碰撞,变成NO+离子,随后NO+离子发生解离反应,形成N+离子和O原子;N+离子在向阴极运动过程中与电子碰撞结合成激发态N原子,继而和其他激发态N原子结合成为激发态N₂;而O原子则应与其它O原子结合成为O₂。由此建立了大气压条件下纯NO气体脉冲电晕放电脱除NO的化学反应动力学模型。     

英飞凌全新二极管可实现高速USB 3.0端口的静电放电防护

通用串行总线（USB）具备即插即用的易用性,在便携式存储领域独领风骚。USB 3.0支持高达5Gbit/s的传输速率,大约是第二代接口的十倍,而功耗也只有其三分之一左右。但是,全新USB端口对静电放电（ESD）特别敏感。     

《原子发射光谱分析技术及应用》

该书以实际中广泛应用的发射光谱现代分析仪器为对象,介绍了原子发射光谱分析技术的原理和必要的基础知识,主要发射光谱仪器的分析技术及其实际应用。着重介绍火花源原子发射光谱、电感耦合等离子体发射光谱和辉光放电     

基于电子产品SMT生产过程中的ESD防护技术

随着现代电子产品SMT制造业的发展和复杂程度的提高，静电放电对电子产品的危害也越来越严重。本文主要介绍了静电的物理特征、静电放电的原因、静电对电子产品的危害以及静电源。重点提出了如何在SMT生产过程中防护静电放电，避免静电对电子产品的危害，以及静电放电防护的误区解析。     

辉光放电质谱分析中质谱干扰及其校正方法的现状

详细地介绍了辉光放电质谱分析中的质谱干扰如同量异位素、多原子离子和多电荷离子干扰。从同位素选择、高分辨率仪器、碰撞诱导解离、离子源冷却、数学方法校正、放电气体更换和放电气体纯度提高等方面对辉光放电质谱的质谱干扰校正方法的现状进行了评述(引用文献共68篇)。     

大功率介质腔滤波器设计

针对腔体滤波器在低气压环境下容易发生功率击穿的难题,提出了一种高Q值介质腔滤波器的设计方法,可以有效地提高滤波器低气压功率放电的阈值,按照此方法,设计了一款TM模介质腔滤波器,使用CST、Ansoft Designer软件进行仿真和优化,使用矢量网络分析仪对制作的产品进行了性能测试,测试曲线和仿真曲线完全吻合,此滤波器能够在低气压(13~101 000 Pa)环境中通过20 W的功率信号,且滤波器Q值高,体积小。     

安森美半导体推出集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器

安森美半导体推出业界首款共模扼流圈及静电放电（ESD）保护集成电路（IC），应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性，使这方案远优于典型的电磁干扰（EMI）滤波器及分立可选方案，同时有助显著减少元件数量。     

并行级联LDPC码译码迭代终止准则研究

提出了两种低复杂度的终止准则,以用于降低PCGC（并行级联Gallager码,parallel concatenated gallagercode）的译码器运算量.这两种准则通过观察边信息方差的改变情况,来判断是否终止译码器迭代.计算机仿真结果证明,这些终止准则可有效地降低译码器运算量,且不影响译码器误比特率性能.     

功率集成电路中的高压电源和地之间的ESD保护

重点讨论了应用于功率集成电路的高压电源和地之间的一种采用动态检测电路的ESD保护电路,介绍了他的电路结构和工作原理,利用HSpice软件对其在ESD脉冲和正常工作2种情况下的功能进行了仿真,并模拟了保护电路中各器件的尺寸对电路性能的影响。仿真结果证明这种保护电路能满足ESD保护的要求,实际流水结果通过了4 kV HBM测试。