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41.
中国地区人工加热电离层产生的极低频电流预测   总被引:5,自引:0,他引:5  
文中用实际的电离层参数,具体地估算了在典型发射条件下,极低频脉冲调制的高频电波加热北京、上海、海口上空电离层所能产生的极低频电流强度。计算的出发点是电子的能量方程,运用迭代法对处理脉冲调制问题作了改进。用此算法同时研究了典型中纬度电离层的加热特性并与以往对高纬度的结果进行了比较。  相似文献   
42.
李永清 《现代电子技术》2011,34(13):189-191
针对场效应管电路分析中不同元件性能参数不同而导致一些理论计算复杂、繁琐,并且难于理解的情况,通过对N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路的理论研究,利用Multisim仿真软件对电路实际工作情况进行模拟,根据二者结果的对比,研究并提出了分压-自偏压共源放大电路的Multisim电路仿真研究的方法。  相似文献   
43.
对数极坐标变换域下互信息图像配准方法   总被引:3,自引:1,他引:3  
当待配准中的图像中存在较大的尺度变换时,传统的图像互信息配准方法对图像尺度变换参数很敏感,易于在优化搜索时陷入局部极值点,配准效果不好。文中提出基于对数极坐标(log—polar)域的图像配准方法,它较好地分离了图像缩放参数和图像旋转参数的相互影响。仿真结果表明,该方法在大尺度图像配准场合应用时比通常的互信息方法有更高的精度和鲁棒性。  相似文献   
44.
张兴强  程元丽  王骐 《中国激光》2008,35(s1):81-84
极紫外光刻(EUVL)技术是目前193 nm浸没式光刻技术的延伸,有望突破30 nm或更小技术节点而成为下一代光刻(NGL)技术的主流。毛细管放电极紫外(EUV)光源可为极紫外光刻研究提供高效、便捷的光刻源头,但光源的辐射功率较低一直制约着极紫外光刻技术的发展。三线毛细管放电极紫外光源的概念设计与常用毛细管装置有着本质的区别,它们不同的工作机制将使三线毛细管放电产生的环带状等离子体极紫外光源的辐射功率明显高于常用毛细管的情形,最佳收集角也得到相应的提高。三线毛细管概念设计方案的提出不仅从技术上开拓出一片全新的领地,为极紫外光刻研究提供所需的光源,而且从效益上看更适合于大规模工业生产。  相似文献   
45.
罗勇  张华  李月华  肖敏  徐健宁 《激光技术》2007,31(4):367-369
为了研究钨极惰性气体保护焊(TIG)快速制造中金属结构成形的效果及工件变形情况,获取金属结构高度及其变化范围,通过对激光视觉传感所得到的图像进行分析,采用激光视觉检测的方法,制作了一种激光视觉检测系统。经与实验获得的实际金属结构高度数据对比,得到金属结构高度检测的误差在单道焊缝的自然成形的高度误差范围内的结果。结果表明,该方法可以比较有效地获得金属结构高度及母材工件变形情况。  相似文献   
46.
陈勇  周玉梅 《半导体技术》2010,35(3):295-298
提出一种新型基于源极跟随器的零极点型滤波器。提出的单支路全差分的双二阶单元采用两个前馈电容综合复数零点,用于实现连续时间零极点型滤波器。源极跟随器在电压域直接处理信号使得该双二阶单元以低功耗实现高线性度。利用CMOS0.18μm工艺级联实现了一个4阶切比雪夫Ⅱ型全差分低通滤波器。测试结果表明,滤波器带宽为2.75MHz,实现了带外下陷特性。在2V电源电压下,消耗电流为1.5mA,测得带内IIP3为5dBm。在三次谐波失真(HD3)为-46.3dB条件下滤波器的动态范围为65dB。  相似文献   
47.
贾晨  郝文瀚  陈虹  张春  王志华 《半导体学报》2009,30(7):075014-5
We propose a bandgap reference, which works in sub-threshold regions to the reduce power consumption in applications such as those in energy harvesting systems that stimulate the development of power management for low power consumption applications.Measurements shows that the supply current of the proposed bandgap reference is only 6.87 μA, including a voltage buffer consuming 3.6 μA of supply current, when the supply voltage is 5 V.The supply voltage can vary from 3 to 11 V and the line regulation of the proposed bandgap reference output voltage is 0.875 mV/V at room temperature.The temperature coefficiency is 88.9 ppm from 10 to 100° C when the supply voltage is 5 V.  相似文献   
48.
杨媛  高勇  余宁梅  刘梦新 《半导体学报》2004,25(9):1074-1078
提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度  相似文献   
49.
对近年来国内外基于涡致振动的压电俘能结构进行了对比、分析,简述了"鳗鱼"式、单悬臂梁式、垂直复摆式以及阵列式俘能结构的原理和特性.分析显示目前对单个俘能结构发电性能及影响因素的研究较多,而对多个俘能结构阵列的研究较少,且大多俘能结构都应用于高速气流中,而对于低速水流等复杂环境中使用的俘能结构还较少.针对压电俘能技术的能...  相似文献   
50.
研究了由双曲面镜面与球面镜面共同组成折反射系统并结合普通透视摄像头所构成的一类特定全景视觉系统,推导了该全方位摄像头成像模型以及外极曲线的计算过程,分析了外极曲线特性,最后通过实验进行理论验证.实验结果表明,本文所提出的计算方法可快速准确地得到外极曲线,有利于全景图像立体匹配过程中对应点的搜索匹配.  相似文献   
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