标准模型下几个签密方案的密码学分析

针对5个文献中所提出的标准模型下的签密方案进行了安全性分析.指出它们或者存在恶意但被动的KGC(Key generation center)攻击、或者存在内部攻击者的保密性攻击、或者存在内部攻击者的伪造性攻击、或者存在选择明文攻击.通过这些攻击,攻击者或者可以伪造一个签密文、或者可以破坏方案的保密性.最后表明要设计标准模型下安全的签密方案仍然是一个值得研究的问题.     

转动谱的若干理论及其对超形变带的研究

简述了若干转动谱理论及其对超形变带的应用 ,并用 Bohr- Mottelson的 I(I+1 )展开公式分析了 A=1 90区超形变带的性质和指定了它们的能级自旋 ,用 Harris的ω2 展开公式 J(1) =2α+(4/3 )βω2 +(6 /5 )γω4分析了 A=1 5 0区 Tb和 Dy同位素 2 0条超形变带的性质 ,指定了它们的能级自旋 .对于首次发现的152 Dy(1 )超形变带 ,带首自旋指定为 2 6 h,与实验结果更加符合. The recent developments of rotational spectral theories and its application to superdeformed bands were briefly reviewed. The superdeformed bands in A ≈190 region were analyzed and the spins of energy level were determined by the least square fitting experimental transition energy with the formula of Bohr Mottelson’s I(I+1) expansions. The superdeformed bands in A ≈150 region were analyzed by using the kinematic moments of inertia formula J (1) =2α+(4/3)βω 2+(6/5)γω 4 in...     

Eu超形变带的自旋指定

系统分析了^{142,143,144,147}Eu中的8条超形变带.在对跃迁能量进行光滑化处理,采用ab拟合或改进的ab拟合,确切地指定了其中7条超形变带的自旋值.首次指出了147Eu的1,5两带和2,3两带可能都分别构成旋称伙伴带,且均为K=1/2带,脱耦合常数约为–1.讨论了它们可能的组态结构.     

A≈190区超形变带自旋指定的再讨论(Ⅲ)奇奇核

讨论了奇奇核超形变旋称伙伴带中的ΔI=1颤动现象.采用光滑化的Y跃迁能量(即扣除去振荡起伏部分),系统地讨论了A=190区奇奇核超形变带的自旋值.旋称伙伴带的ΔI=1颤动现象的存在,对奇奇核超形变带的自旋指定没有影响.     

A～190区超形变带三参数公式的描述

首次唯象地提出超形变核转动惯量为.利用理想转子的能量表达式,得到新三参数公式.对A～190区Hg,Pb和TI同位素第一超形变带γ跃迁能量的计算结果表明,超形变带能够较精确地用q变形转动惯量的理想转子模型来描述.     

奇奇核超形变带的△I=1颤动

讨论了奇奇核超形变旋称伙伴带中的△I=1颤动现象,通过ab拟合和改进的ab拟合指定了它们的自旋值.     

A≈150区超形变带跃迁能量中振荡起伏的扣除和自旋指定

在用ab公式指定A≈150区超形变带的自旋值时,考虑了跃迁能量中存在着的振荡起伏的问题.讨论了几个典型超形变带的自旋指定.     

一种针对SSM的二层转发方法

以太网交换机仅依据目的介质访问控制(Media Access Control,MAC)子层地址进行数据转发,指定源组播(Source Specific Multicast,SSM)数据进入交换机后可能被转发至其他频道的订阅用户。针对此问题,在分析了SSM协议模型的以太网交换问题的基础上,提出了SSM数据标识及源标识的加入方法,详细设计了SSM转发表的建立过程,给出了SSM数据的转发流程,并对方法的可行性进行了仿真验证。     

新的基于身份的广义指定验证者签名方案

指定验证者签名可以实现签名者选择所期望的验证者验证签名的有效性,从而达到控制数字签名任意传播的目的.基于双线性对构造了一个新的基于身份的广义指定验证者签名方案.新方案采用引进两个独立PKG的方法,在一定程度上消除了现存方案中单个PKG可以随意伪造用户签名的安全隐患.证明了在GDH假设和随机预言模型下,新方案在基于身份的广义指定验证者签名的不可伪造性和秘密性概念下是安全的.     

IT类电子产品3C工厂检查的现场指定试验探讨——抗电强度试验

文章通过一些实例介绍了IT类电子产品3C工厂检查的现场指定抗电强度试验的测试要求、测试原理、测试部位和测试注意事项。