全文获取类型
收费全文 | 109篇 |
免费 | 9篇 |
国内免费 | 24篇 |
专业分类
化学 | 8篇 |
晶体学 | 5篇 |
力学 | 1篇 |
物理学 | 9篇 |
无线电 | 119篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 10篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 11篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 14篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 3篇 |
1998年 | 4篇 |
排序方式: 共有142条查询结果,搜索用时 0 毫秒
141.
对硅通孔技术(TSV)在3D堆叠封装领域的优势进行了简单阐述,同时指出化学机械抛光(CMP)技术作为具有高质量和高精度的全局平坦化工艺,是TSV制备过程中最重要的步骤之一。影响化学机械抛光质量以及效率的因素有很多,其中比较关键的是化学机械抛光液的组成成分及其性能。重点从抛光速率、抛光质量(抑制碟形坑、表面粗糙度等)和绿色环保几个方面对抛光液性能的影响进行了讨论,概述了近年来国内外铜抛光液的研究进展。最后,通过对比总结目前铜抛光液的研究成果,对TSV铜抛光液今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,其应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本及环境友好的方向发展。 相似文献
142.
在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低选择比的作用。最后,对所选pH值调节剂和表面活性剂对铝化学机械抛光的影响进行了实验研究。结果表明:pH值在11.0时,去除速率最快,约为390nm/min;表面活性剂的加入对去除速率影响不大,但可以明显改善表面状态,表面粗糙度降至nm级。 相似文献