SiO2抛光液对A1N基片抛光性能的影响

针对AlN基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响。通过对AlN基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高。利用纳米SiO2溶胶、去离子水、pH调节剂和稳定剂自主配制抛光液A,与纯水按质量比1∶5稀释后,在压力1.8MPa、转速60r/min、流速340mL/min条件下,对AlN基片进行抛光,抛光速率为0.5μm/min。抛光1.5h后,AlN基片的表面粗糙度可达28nm,表面无划痕。     

基于磨粒运动轨迹的硅片化学机械抛光材料去率研究

硅片化学机械抛光（CMP）是机械作用与化学作用相结合的技术,硅片表面的化学反应层主要是由抛光液中磨料的机械作用去除,磨粒对硅片表面的摩擦和划擦对硅片表面材料的去除起着重要作用。磨粒在硅片表面上的划痕长度直接影响硅片表面的材料去除率。本文首先在实验结果的基础上分析了硅片CMP过程中磨粒的分布形式,然后根据运动学和接触力学理论,分析了硅片、磨粒及抛光垫三者之间的运动关系,根据磨粒在硅片表面上的运动轨迹长度,得出了材料去除率与抛光速度之间的关系,该分析结果与实验结果一致,研究结果可为进一步理解硅片CMP的材料去除机理提供理论指导。     

在氧化铈表面掺铝以显著提高其抛光光学玻璃的抛蚀量

将水合碳酸铈与硝酸铝和氨水共同进行机械球磨,使新形成的无定型氢氧化铝包覆在细小的碳酸铈颗粒表面,经脱水干燥和煅烧,以制备出表面掺杂有氧化铝的氧化铈。结果表明:球磨中间产物仍然以水合碳酸铈为主,氢氧化铝的形成阻碍了碳酸铈的无定型化和向氢氧化铈的转化过程。在氧化铝掺杂量不超过10%的条件下,煅烧产物均具有立方萤石型结构。所有掺杂铝的氧化铈粉体对ZF7和K9光学玻璃的抛光速率均比纯氧化铈的有很大提高,证明铝的掺杂能够大大提高氧化铈的抛光性能。其最佳掺杂量为0.6%,煅烧条件为在1000℃下煅烧2 h。此时的MRR值为纯氧化铈的两倍以上。     

振动抛光在EBSD试样制备中的应用

本文采用振动抛光制备EBSD试样,研究了振动幅度,加载重量和抛光时间3个变量对EBSD衍射花样质量的影响。试验结果表明,对于镍基高温合金来说,振幅对于抛光结果的影响最大,抛光时间的影响最小。     

抛光技术在塑料制品上的应用

本文简述了有关抛光技术原理及抛光工艺在生产实践中所发挥的作用，结合生产实例做了较好的分析。     

相互竞争下的最小化

自然界中存在着许多天然材料,它们具有多种相互竞争的性质,例如蜘蛛结的网,它将轻巧、富于弹性和不易断裂等性质集于一身.而这类生物材料的特点总是由两种或更多的材料复合而成,从而使这类生物材料具有多种特殊的功能.借鉴于这个思想,美国普林斯顿大学的Torquato S教授和他的同事们利用计算机模拟方法去计算合成材料的特性,他们希望新型的复合材料能具有多方面的优点,例如在力学性能、导电与导热、迅速地传输流体与粒子的功能方面都很有特色.因此模拟工作要面对的是如何使单项性质得到优化.简单地说,如果想要使一种材料具有保温特性,那就必…     

聚氨酯抛光片在透镜高效生产中的应用

本文对聚氨酯抛光片的性能、特点作了概要介绍，在透镜生产中应用聚氨酯抛光片单块加工及成盘加工的方法分别作了讨论，以及众多的工艺因素作了较为详细的分析，介绍了常出现的光圈异常现象的排除方法，从而达到稳定、高效的目的。     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

准球心弧线摆动高速抛光用的高纯氧化铈

本文阐述了准球心弧线摆动高速抛光中与聚氨基甲酸乙酯抛光模相匹配的高纯氧化铈抛光粉经烧制处理后的抛光效率,添加剂的作用以及回收处理。