集成电路总剂量加固技术的研究进展

对集成电路总剂量加固技术的研究进展进行了分析。集成电路技术在材料、器件结构、版图设计及系统结构方面的革新,促进了总剂量加固技术的发展。新的总剂量加固技术提高了集成电路的抗总剂量能力,延长了电子系统在辐射环境下的使用寿命。文中总结了近年来提出的新型的总剂量抗辐射加固技术,如采用Ag-Ge-S、单壁碳纳米管材料(SWCNT)、绝缘体上漏/源(DSOI)器件结构、八边形的门(OCTO)版图、备用偏置三模块冗余(ABTMR)系统等加固方法,显著提高了器件或电子系统的总剂量抗辐射能力。研究结果有助于建立完整的总剂量加固体系,提升抗辐射指标,对促进总剂量加固技术的快速发展具有一定的参考价值。     

电源电路抗γ总剂量辐射性能建模与裕量与不确定性量化评估

针对电源电路抗总剂量辐射性能评估问题,建立了元器件和电路的性能模型,并搭建测试电路对模型进行了测试。开展了辐照敏感关键元器件的总剂量辐照试验,获取了元器件关键参数随累积总剂量变化的实验数据,将参数变化规律注入模型,开展了电源电路抗辐射性能仿真,获得了电路关键特征参数输出电压随累积总剂量的变化规律。采用裕量与不确定性量化(QMU)方法对电源电路的抗辐射性能进行评估,并与电路实际辐照实验结果进行对比,结果表明,QMU评估结果与实际实验结果保持了较好的一致性。     

短波320×256抗辐射加固读出电路设计

设计了一款采用CMOS工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了CMOS工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对NMOS管使用环形栅和冗余设计等措施。该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行。     

RHF484／310／330／350：运算放大器

意法半导体推出其欧洲抗辐射航天用半导体产品组合的四款获得QMLV官方认证的放大器芯片。RHF484是由4个RHF43B组成的4路运算放大器,可替代工业标准运算放大器芯片,采用Flat．14W封装,2011年通过QMLV认证。RHF310和RHF330是超低功耗5V运算放大器,     

一种基于ARCT的抗辐射加固器件结构设计

本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力.     

MOS器件~(90)Sr-~(90)Y源电离辐射效应研究

介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。     

一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET

采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力.     

深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究

对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验.实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强.对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析.分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异.基于实验与分析结果,提出了一些深亚微米模拟I...     

国外卫星抗干扰技术浅析

本文论述了卫星抗干扰技术的发展现状与趋势，介绍了卫星抗干扰技术的特点与重要意义。阐明了卫星抗干扰的样式及措施。并对几种常见的抗干扰技术做了分析对比。从分析对比中找出了差距，提出了发展此项技术的几点看法和建议。     

抗辐射加固技术发展动态研究

辐射效应已成为影响集成电路(IC)在宇宙空间可靠应用的主要因素。文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述。首先,简介了抗辐射加固技术。然后,综述了抗辐射加固技术国外发展动态,介绍了美国在抗辐射加固技术方面的管理方式、技术路线、进展及典型应用。最后介绍了国内相关技术的进展,指出研究美国抗辐射加固技术的发展动态可促进国内抗辐射加固技术的发展。该综述对国内抗辐射加固技术的实际应用及推广具有一定借鉴意义。