砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究

砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试...     

1024×1024全帧CCD器件

采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm,有效光敏面积为11.3mm×11.3mm,光响应波长范围为400～1 100nm。成像区域横向分为2个区,纵向分为2个区,可由1路、2路和4路输出,有9种读出模式。该器件具有2×2的像元合并功能,能作为512×512（像元尺寸为22μm×22μm）和规格的器件使用。该器件数据速率为4×40M,数据速率高。器件采用MPP工作模式,暗电流低;采用薄栅氧化,具有100krad（Si）抗辐照能力;适合在高温、辐照环境和微光环境下成像应用。     

自由空间用半导体激光器抗辐射的研究

为了提高半导体激光器的抗辐射性能,满足空间应用的需要,在介绍了空间辐射环境的基础上,对空间辐射在半导体激光器中产生的总剂量效应、单粒子翻转效应和位移效应进行了分析,并探讨了半导体激光器在空间辐射环境中相应的抗辐射防护技术。对980 nm单模半导体激光器采用了端面镀膜、Al2O3绝缘介质层、真空封装等抗辐射的改进措施,有效地提高了半导体激光器的抗辐射能力。     

激光束模拟剂量率效应关键技术分析

剂量率效应是电子元器件和系统的抗辐射鉴定考核中不可缺失的项目。脉冲激光束是一种较好的模拟剂量率效应的手段。相比传统脉冲X射线装置,利用激光束模拟剂量率效应,脉冲输出稳定,寄生电场效应低,可进行器件微区辐照,而且激光束模拟剂量率装置易实现,剂量率试验的时间和成本均远低于高能X射线辐射试验。虽然激光束模拟剂量率装置具有上述优势,但由于激光束本身的特性,这种方法具有一定的局限性,其中高功率激光的非线性吸收、器件金属线的遮挡效应会严重影响激光束模拟剂量率效应的适用性。因此必须通过适当的试验设计和理论修正才能获得相对准确的剂量率试验结果。本文从激光束模拟剂量率效应原理出发,详细阐述影响激光束剂量率模拟试验适用性的因素,并分析克服这些影响因素的途径,以指导激光束模拟剂量率效应装置的开发和应用。     

电清洗人造石英晶体技术的研究

该文采用电清洗技术研制出高稳定性,高可靠性,低腐蚀隧道密度的人造石英晶体.通过对电清洗工艺技术的研究,可将腐蚀隧道密度≤100条/cm2、Na+质量分数为2.33×10-6的石英晶体腐蚀隧道密度降低到≤10条/cm2,Na+质量分数减少到0.3×10-6.采用电清洗石英晶体技术研制出了腐蚀隧道密度≤3条/cm2,抗辐射性能提高2个数量级.     

光纤陀螺用探测器模块抗辐射特性研究

分析了光纤陀螺用探测器模块在辐照条件下的失效模式,针对元器件的材料、结构、表面处理等方面提出了抗辐射的设计方案,测试了采用该方案设计的探测器模块的参数随辐照的变化情况,结果表明模块的抗辐照效果明显,能够满足探测器组件抗辐射的要求.