HSP2125型8路输入/输出信号处理电路的研制

本文介绍了薄膜混合集成电路HSP2125型8路输入/输出信号处理电路的研制过程，重点阐述了CMOS器件具有高噪声容限和抗辐射特性。     

集成电路抗辐射加固技术的发展动态

随着芯片集成度的提高,器件加固技术的难度越来越大,加固技术出现激烈竞争。本文扼要介绍几种较好的加固技术的近期发展动态,技术水平以及部分典型加固产品的抗辐射能力。     

新雌激素衍生物的合成及抗辐射升白生物活性

以17α-炔雌二醇和17β-雌二醇为原料,分别与烯丙基溴、溴代异戊烯反应,通过一步反应合成了4个新雌激素衍生物,分别是17α-炔雌二醇-3-烯丙基醚(ES-1),17β-雌二醇-3-烯丙基醚(ES-2),17α-炔雌二醇-3-异戊烯基醚(ES-3)和17β-雌二醇-3-异戊烯基醚(ES-4),产率分别为92.2%,73.7%,65.9%和67.6%.化合物通过1HNMR,13CNMR,IR,MS及元素分析确证了结构,4个化合物均未见文献报道.初步的抗辐射升白生物活性研究表明,4个化合物对137Csγ-射线引起的小鼠白细胞低下及造血系统功能损伤有一定的保护作用.其中ES-3的升白作用最佳,经统计学处理,3个给药剂量组与对照组比,升白作用均有非常显著性差异(P0.001).     

基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究

对基于RHBD技术CMOS D锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并对其抗单粒子效应给出了模拟仿真,得出了此设计下的阈值LET,仿真结果表明:基于DICE结构的D锁存器具有抗单粒子效应的能力.     

抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验

用特种复合屏蔽材料和缝焊封接工艺进行抗辐射封装,在普通封装存储器28C256的基础上,研制了抗辐射封装加固存储器LS28C256R。设计专用试验测试电路板和测试软件,以进行存储器器件加电工作条件下电子加速器辐照试验的动态测试。辐照对比试验结果表明,加固存储器LS28C256R的抗电子源辐照能力比普通封装存储器28C256提高1～2个数量级,为商用成品（Commercial Off-The—Shelf,COTS）器件在空间领域中的应用提供了技术支撑。     

半导体器件无损筛选研究

半导体器件的无损筛选不同于普通统计筛选，它通过少量器件辐照试验，实现对未辐照器件按辐照性能进行筛选分类的目的，此技术可以筛选出辐射性能提高几倍的器件。     

CMOS集成电路的抗辐射设计

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能.本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加固设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC).     

0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库建库流程研究与实现

基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。     

卫星光通信系统中单粒子翻转计算方法研究

高能带电粒子造成的单粒子翻转是影响卫星光通信系统性能的重要因素,给出了单粒子翻转的物理机制及主要研究方法。利用OMERE 3.4软件对星载CMOS 2164器件进行了单粒子翻转率计算,结果表明,通过对轨道倾角和轨道高度的优化设计可以有效减小卫星光通信系统中电子器件的单粒子翻转率。为了有效克服单粒子辐射效应,除了简单的增加屏蔽层厚度等防护方法外,还应考虑通过电子器件的选择来提高抗辐射性能。     

提高辐射场特定区域n／γ值初步实验研究

为满足用户抗辐射加固实验研究的需要，在中国第二号快中子脉冲反应堆上开展了提高特定区域内n/γ值初步实验研究。其中，n是待测辐射场中子注量，γ是相应辐射场的吸收剂量。