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871.
872.
通过分析目前流行的公开源代码的嵌入式操作系统中断管理实现的方法,给出了基于设备为中心管理情况下实现对处理器中断管理的方法,并给出了实现过程. 相似文献
873.
Sui Dan Ge Lindong 《电子科学学刊(英文版)》2008,25(1):7-13
A subspace-based blind Signal-to-Noise Ratio (SNR) estimation algorithm for digital bandpass signals in Additive White Gaussian Noise (AWGN) channel is discussed. The lower bounds of the mean and variance of the estimation are derived, and simulations are performed for the commonly used digital bandpass signals, such as MPSK (M=2, 4, 8), MFSK (M=2, 4) and MQAM (M=16, 64, 128, 256) signals. Theoretical analyses and simulation results indicate that the proposed algorithm is effective even when the SNR is below 0dB. Furthermore, the algorithm can provide a blind estimator in that it needs neither the parameters of the received signals, such as the carrier frequency, symbol rate and modulation scheme, nor the synchronization of the system. 相似文献
874.
875.
智能卡在执行算法过程中泄露功耗信息。差分功耗分析(DPA)者利用这些信息就可以分析出加密的密钥,其危害远大于传统的数学分析手段。目前有很多软件的手段来防止差分功耗分析,但这些方法相对比较复杂。本文针对硬件层次的几种防差分功耗分析的方法进行了分析研究。 相似文献
876.
近年来,随着电气互连技术的发展和表面组装技术的广泛应用,在高频等工作状态下,表面组装电路模块对其本身的电、磁、热等特性要求越来越高。对电磁场、热场理论基础以及它们之间的耦合和分析方法作了简要介绍。并对组装了BGA的PCB进行了热-力的耦合分析。 相似文献
877.
具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案. 相似文献
878.
He Guorong Yang Guohu Zheng Wanhu Wu Xuming Wang Xiaodong Cao Yulian Wang Qing Chen Lianghui 《半导体学报》2006,27(11):1906-1910
在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布. 同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性. 相似文献
879.
880.