全文获取类型
收费全文 | 47979篇 |
免费 | 3922篇 |
国内免费 | 4210篇 |
专业分类
化学 | 12088篇 |
晶体学 | 80篇 |
力学 | 3221篇 |
综合类 | 796篇 |
数学 | 4359篇 |
物理学 | 7678篇 |
无线电 | 27889篇 |
出版年
2024年 | 283篇 |
2023年 | 1169篇 |
2022年 | 1405篇 |
2021年 | 1540篇 |
2020年 | 1054篇 |
2019年 | 1363篇 |
2018年 | 652篇 |
2017年 | 1621篇 |
2016年 | 1935篇 |
2015年 | 1543篇 |
2014年 | 3086篇 |
2013年 | 2371篇 |
2012年 | 2628篇 |
2011年 | 2350篇 |
2010年 | 2087篇 |
2009年 | 2454篇 |
2008年 | 3613篇 |
2007年 | 2230篇 |
2006年 | 2210篇 |
2005年 | 2280篇 |
2004年 | 2199篇 |
2003年 | 2176篇 |
2002年 | 2112篇 |
2001年 | 1913篇 |
2000年 | 1385篇 |
1999年 | 969篇 |
1998年 | 1214篇 |
1997年 | 779篇 |
1996年 | 806篇 |
1995年 | 813篇 |
1994年 | 708篇 |
1993年 | 636篇 |
1992年 | 562篇 |
1991年 | 565篇 |
1990年 | 496篇 |
1989年 | 486篇 |
1988年 | 106篇 |
1987年 | 121篇 |
1986年 | 57篇 |
1985年 | 47篇 |
1984年 | 27篇 |
1983年 | 28篇 |
1982年 | 17篇 |
1981年 | 13篇 |
1980年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 312 毫秒
41.
金文中 《内蒙古广播与电视技术》2006,23(1):37-42
电路分析中常用的定律和定理(中) 5等效电源定理 常见电源有两类,一类是电压源,一类是电流源,分别如图6-(1)和6-(2)所示。电压源中有恒定的电动势E和内阻r,当其内阻r=0时,称理想电压源。因其内阻为零,根据全回路欧姆定律,无论外接负载大小,它供出的电流怎样变化,其内阻都不会产生压降,所以其输出电压永远是恒定的,为此也称之为“恒压源”。 相似文献
42.
43.
JD-801形态学图像分析系统是南京捷达公司的产品,所提供的图像处理与分析功适用于生物、医学、材料、化工、冶金等各种需要利用图像分析手段进行形态学测定分析的领域。 相似文献
44.
45.
动力环境网络监控精细管理 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述动力环境运行质量分析管理,包括故障管理,性能管理和专题分析管理,以动力环境网络监控细致八微、言之有据的月度分析管理实例展现了其精细管理的效果。 相似文献
46.
本文作者从一个一线技术人员的角度,对路由器数据流的排队机制与操作系统的进程/线程,调度机制进行了关联性分析。全文虽然偏重于技术,但对网络技术人员却有着较大的参考和借鉴意义。[编者按] 相似文献
47.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
48.
49.
50.