高强度CrMo钢的EELS和EDS面扫描研究

在很多金属材料中 ,界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用。随着电子显微学的进步 ,电子能量损失谱 (ＥＥＬＳ)已被用来研究界面处的性能。例如 ,对Ｎｉ3 Ａｌ晶界处电子能量损失谱的研究表明 ,Ｂ在晶界处的偏聚改变了晶界处的电子态 ,从而对于改善Ｎｉ3 Ａｌ的脆性具有明显的作用[1,2 ] 。在过渡金属的合金中 ,如下的定性结论可以判别界面处键合的趋势 :当界面处ＥＥＬＳ谱的白线较块体高且尖锐的情况下 ,界面处强度比块体低 ,界面为易断裂处 ;如果界面处的白线强度比块体较低 ,且有展宽效应 ,则界面处的强度高于块体强…     

几款德州仪器公司新型消费类IC

<正> 1、10W D类无散热片音频动放系列TPA032D0× TPA032D0×是一种高效10W D类音频功率放大器,尤其适用于电池供电和有发热限制的场合。该器件利用了DMOS功率晶体管极高的开关速度在输出级重现输入模拟信号,从而提高了系统的性能。 该系列共有四种型号,可提供立体声、单声道、立体声耳机放大器等不同应用。8～14V电源供电,并有关断控制,可延长电池寿命。     

用于金属化薄膜分切机安全设计的YB—2B型人体感应模块

扼要论述YB－2B型人体感应模块的基本原理，结合实际情况，介绍此种模块在工业安全生产中的应用。     

一种具有PCMCIA接口的分组无线控制器的实现

文章给出了一种应用于便携计算机上的分组无线网控制器的设计方法，首先简要介绍了PCMCIA协议以及实现该协议的接口芯片TL16PC564B，然后叙述了分组无线网控制器系统的硬件设计和软件设计。     

垂直磁化膜微畴结构的SEM观察

本文研究了用扫描电子显微镜(SEM)观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果。该方法的步骤是在试样表面制作高质量的干粉纹图,然后用高倍率二次电子象进行观察。由于SEM中的二次电子象具有景深大、分辨率高的特点,这项技术可用来研究磁畴的精细结构特征及其在磁化过程中的变化。     

用自适应脉冲微扰引导混沌系统到周期解

用自适应脉冲微扰方法控制的系统的某个系统变量作为驱动,设计了一种自适应控制器方法对两个或多个响应混沌系统进行脉冲微扰,引导这些系统从混沌运动到低周期运动,实现同时控制多个混沌系统到不同的周期态. 当选择相同的自适应控制器输入变量实施脉冲微扰时,还可控制两个或多个混沌系统达到不同的周期态同步. 通过对R?ssler混沌系统的仿真研究证实了方法的有效性. 关键词： 混沌控制 系统参量 自适应控制器 脉冲微扰 周期态同步     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

基于MATLAB(SIMULINK)的电弧炉电极调节系统FUZZY-PD控制器的仿真

介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊－－PD控制器，讨论了在SIMULINK环境下模糊－PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法，并给出仿真结果与结论。     

基因芯片荧光图象采集与分析

描述了基因芯片荧光图象的光学共聚焦成象,大范围高速扫描与控制,数据采集的原理和方法.并讨论了基因芯片荧光图象的分析算法,即模板定位与阈值分割相结合的半自动算法,并将其计算结果与完全采用人工分割算法的结果进行了比较.