碘化铅单晶体生长新方法探索

本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。     

新颖卟啉阵列以及卟啉类似物的设计、合成与性能研究进展

卟啉是“生命色素”分子,在自然界中广泛存在,如血红素和叶绿素.卟啉类似物与卟啉分子具有相似的结构和性能,它们在光电器件、光动力治疗、太阳能电池、生物传感以及人工智能等领域有着广泛的应用前景.本文基于近年来本课题组的工作,系统地介绍了多种卟啉阵列及卟啉类似物的设计、合成与性能方面的研究,在此基础上对该领域的发展进行了简单地展望,旨在为设计、合成结构新颖、性能优异的卟啉类似功能分子提供参考.     

带隙性光子晶体光纤的应用

带隙型光子晶体光纤以其独特的性能、在各领域有着广泛的应用前景.文章阐述了这种光子晶体光纤在强激光传送、粒子传输、传感器和孤子压缩等方面的应用.     

一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计

为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压V_BE的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证。在-40～85℃温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10^-6/℃,电源电压抑制比可达到-88 dB。     

基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法

UltraScale+ 架构 FPGA 采用 16 nm Fin FET 工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险。基于线性能量传输 (LET) 等效机理,选取⁷Li³⁺、¹⁹F⁹、³⁵Cl^11,14+、⁴⁸Ti^10,15+、⁷⁴Ge^11,20+、¹²⁷I^15,25+、¹⁸¹Ta、²⁰⁹Bi 8 种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁 (SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法。结合 LET 通量及 Fin FET 结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控。所涉及的单粒子效应 (SEE) 分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性。     

沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究

空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应（SEE）,单粒子效应中单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力。     

广义Fermat型微分与微差分方程整函数解的存在性与形式

利用Nevanlinna值分布理论,主要讨论了几类广义Fermat型微分与微差分方程有限级超越整函数解,得到了二阶微分、微差分方程整函数解的存在性条件以及解的具体形式,所获定理推广了之前的结果,并举例说明了结果的精确性。     

基于ARM＋Linux2．6内核的控制系统驱动设计

在Linux 2.6内核下驱动的设计相对以往版本Linux内核有了很多改进,而ARM9被广泛用于控制领域.结合项目背景,介绍在Linux 2.6.21.7内核下基于AT91RM9200硬件平台的某仪器控制系统驱动设计,重点介绍I/O口和中断驱动设计方法,引入阻塞型I/O.通过在交叉开发环境编译调试进行验证,该设计已应用到仪器中.     

谐振型开关电源

通过对行输出级电路和传统开关电源的分析，把谐振原理应用于开关电源中，这种电路具有零电压开关特性，从而有效地降低了开关过程的功耗，提高了转换效率，并对其所存在的问题以及解决方法提出了一些看法。