C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

高斯光束在克尔型非线性介质中的演化特性

由光束在克尔型吸收介质中传输的非线性薛定谔方程,推导了高斯光束注入介质后满足的耦合方程,并分别在不考虑吸收和高阶展开项的情况下,对脉冲的腰斑半径的演化进行了理论分析。发现当注入脉冲满足一定的条件时,脉冲可以以“孤波”的形式传播。当考虑吸收和高阶展开项时,脉冲不存在“孤波”形式,且存在一个阈值,低于阈值的输入,脉冲发生自聚焦;对高于阈值的输入,腰斑半径随着距离的增加而增加,聚焦趋势根本就不存在。     

新型显微术突破衍射极限

1 前言光学显微镜可能是孩子们所熟悉的一种科学仪器，也可能是唯一能在玩具店买到的光学仪器。在学校里我们中的大多数都是满怀期望地来使用显微镜，希望通过它能够看到一片树叶或一只死苍蝇中无法想象到的细节。但常常是因无法看到更多信息而大失所望。那么构成一切物体的所有那些原子和分子在哪儿呢？如果我们向老师抱怨，我们通常会被告知，无法在光学显微镜中看到非常非常小的东西。直到最近，老师说的还是正确的，但并不总是如此。100多年来科学家坚信显微镜的分辨率在照明样品光波长的一半处降至最低点。原因在于光的波动特性而不是…     

0.86μm激光扫描二维成像的实验研究

本文给出作者设计的0.86μm激光二维成像系统的原理框图、成像雷达距离方程和部分物体对0.86μm激光的反射对比度的测试数据,并展示了各类物体激光成像的照片.     

求幂级数收敛半径的方法

指出了文 [1 ]中一个考研题的错误解法 ,并给出求幂级数收敛半径的几种方法     

书籍扫描图像畸变参数自动计算方法的研究

为实现书籍扫描图像的畸变自动校正,提出用多项式来描述各像素的理论灰度g(zi)与页面上对应点到扫描仪工作平面距离zi二者之间的关系。为确立该多项式,在畸变参数已知条件下扫描一幅图像,根据已知畸变参数求出zi,即可按最小二乘法原理由各像素灰度的实际值求出多项式的各个系数。实验证明,采用4阶多项式已能满足一般要求,并求出了各系数。对任意扫描图像,自动计算畸变参数的方法为:首先利用扫描图像上页边空白处各像素的灰度,对畸变参数进行估计,并求出zi的估计值;然后代入所确立的多项式,可求得g(zi);通过调整各畸变参数的估计值,直到g(zi)与gi最为接近,即得最佳畸变参数。用于图像校正实验,获得了较好的校正效果,最大误差由不校正时的41%下降到了6.9%。这使得无需用户测量并输入有关畸变参数即可进行自动校正。     

扫描隧道显微镜研究石墨表面的莫尔图

利用扫描隧道显微镜研究石墨表面的大尺度周期性图样．研究结果表明,莫尔图起源于石墨深层的缺陷,实验结果与理论完全吻合,并且第一次在实验上证明了纳米波可以穿透多层石墨而没有明显衰减．     

二维磁结构的扫描隧道显微术研究

文章介绍了近年来利用扫描隧道显微术（STM）对表面和薄膜磁结构的研究进展。二维或表面磁结构可以通过在非磁性单晶上外延磁性单原子层薄膜形成，也可以在清洁的磁性单晶表面形成。利用磁性的STM针尖可以观测到原子分辨的表面磁结构。这将增进人们从纳米尺度对磁性的理解，并推动磁电子学的发展。     

A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors：Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy

We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity.     

实用型低空红外扫描相机（下）

三、电子系统相机主机电子系统功能框图示于图5,12元碲镉汞探测器输出的平行信号经12路前放、主放、选通、低通滤波、自动增益控制和台阶等电路后由曝光量控制,电光转换电路通过12只发光二极管转换成可见光。由操纵盒输出的照相速度高度信号经速高比电路控制曝光量、拉片速度和字符显示周期。图中照相日期、时间、高度和经纬度辅助数据经各自的编码器和读出时序控制后译码,由一个半导体数码管顺序显示。