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101.
在局部区域上的奇摄动反应扩散方程初始边值问题 总被引:2,自引:2,他引:0
本文是讨论一类在局部区域上的奇摄动反应扩散初始边值问题.利用算子理论和 不动点原理,得到了相应问题解的存在性和唯一性. 相似文献
102.
非线性时滞反应扩散方程组的奇摄动 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了一类奇摄动非线性时滞反应扩散方程组,利用微分不等式方法,得到了解的一致有效的渐近展开式. 相似文献
103.
AN ESTIMATE ON THE DISTRIBUTION AND MOMENTS OF THE LAST EXIT TIME OF AN ELLIPTIC DIFFUSION PROCESS 总被引:1,自引:0,他引:1
Let LB be the last exit time from a compact set B of an elliptic diffusion process X. A moderate estimate for the distribution of LB is obtained, and the sufficient and necessary condition for Ex(LBk)<∞is proved. 相似文献
104.
105.
Positive Steady States of a Prey-predator Model with Diffusion and Non-monotone Conversion Rate 总被引:1,自引:0,他引:1
Rui PENG Ming Xin WANG Wen Van CHEN 《数学学报(英文版)》2007,23(4):749-760
In this paper, we study the positive steady states of a prey-predator model with diffusion throughout and a non-monotone conversion rate under the homogeneous Dirichlet boundary condition. We obtain some results of the existence and non-existence of positive steady states. The stability and uniqueness of positive steady states are also discussed. 相似文献
106.
1引言 有限体积方法[l]一l’]作为守恒型的离散技术,被广泛应用于工程计算领域.文【2,3} 基于分片常数和分片常向量函数空间,对二维驻定对流扩散方程提出了一类非协调混合 有限体积(Covolume)格式,证明了格式具有。(hl/2)收敛精度.但该格式要求对偶剖分 比较规则,即采用重 相似文献
107.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
108.
109.
本文讨论非线性退缩方程组uit=△ηi(ui)+fi(x,t,u1,…,uN),(x,t)∈QT=Ω×(0,T)具有Dirichlet边界条件的解之整体存在和非整体存在. 相似文献
110.
程控电话交换机过电流保护元件用高性能PTC陶瓷的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
阐述了高性能PTC陶瓷材料制备的基本要点,并以基方固溶体化学组成、原材料选择、复合添加物改性以及特定烧结工艺等方面开展工作,制得了居里温度为90℃左右、室温体积电阻率为30Ω·cm,电阻率突变ρνmax/ρνmin>105、电阻率温度系数α≈15%/℃、耐电压强度≥150V/mm的高性能PTC陶瓷材料。此材料制得的元件能满足程控电话交换机过电流保护的要求。 相似文献