一种单相串联混合电力有源滤波器的研究

文中对串联混合电力滤波器抑制谐波的原理进行了分析。为了检测单项系统的谐波电流,提出一种基于虚拟三相法和瞬时无功理论的谐波检测方法,并且对串联滤波逆变器的直流侧电压的控制进行了讨论。仿真结果证明了其有效性。     

一种的四进制CPM调制器的设计与FPGA实现

设计并实现了一种基于FPGA的四进制连续相位调制器（PCM）。该调制器的基带调制模块通过查表法实现，复杂度较低。仿真结果验证了设计的正确性。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

微带定向耦合器的设计

首先从数学上用奇、偶模法推出此种定向耦合器的散射短阵，然后进一步分析奇模波与偶模波传输性质与此微带定向耦合器的关系及设计微带定向耦合器应注意的问题。     

两个DEA的逆问题的解法的探讨

文[1]提出了两个DEA的逆问题，并用搜索法来解．而本文根据所证的定理，对每个问题一般只要解二、三个线性规划问题就能得到答案．     

改进的一维Otsu法在B超图像分割中的应用

提出了基于像素邻域平均灰度的改进的一维Otsu多门限分割方法，兼有准确性和快电性的优点，并应用于B超图像，实现了多个目标的自动分割，与普通的一维Otsu法相比，具有更好的分割效果。     

印刷法制作OLED

凸版印刷公司开发了印刷法制作OLED新技术，解决了现有真空蒸镀技术很难制作51cm（20in）以上OLED屏的难题。该技术开发样品尺寸为14cm（5．5in），分辨率为80ppi，像素间隙为300μm。计划2007年开始正式投入生产。     

下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。