面向高速应用的GaN基HEMT器件

工作在毫米波、亚毫米波频段的固态功率放大器可广泛应用于无线通信、汽车雷达等电子系统。氮化物材料具备禁带宽度大、电子速度高等特点,使得GaN 基HEM T 器件成为面向高频器件和高速数字电路等高速应用的理想候选器件。但是为实现更佳的器件指标,仍需要进行多层次的设计和优化。重点讨论了面向高速应用的GaN 基器件所面临的挑战,如载流子限域性、电子速度以及在等比例缩小规律下的导通电阻等问题。分析表明,这些问题的解决将使GaN 基器件在高速、高频等领域得到广泛应用。     

色噪声背景下的自适应恒模波形设计

针对色噪声背景下的雷达发射波形设计问题,提出了一种基于驻定相位原理的恒模波形设计方法.在已知色噪声功率谱密度先验信息的条件下,以最大化输出信噪比为准则,推导出了最优发射波形的能量谱与色噪声功率谱密度的关系;并由最优波形的能量谱,应用基于驻定相位原理的波形设计方法,实现了色噪声背景下的自适应恒模波形设计.与已有算法相比,文章算法所设计的波形,具有良好的恒模特性,可以更好地匹配最优波形能量谱,同时可以获得更高的输出信噪比,仿真结果验证了所提算法的有效性.     

对称单负材料平面波导的波导模

基于经典电磁理论建立了芯层为单负材料的对称三层平板波导的导波方程,采用图解法研究了该波导中的TE和TM波导模,分析了TE波导模和TM波导模会受波导参数μ1/μ2和R的影响,给出TE模和TM模解的横向场分布图.结果显示,在单负材料的对称三层平板波导中只存在慢波导模,TE慢波模只能在磁负材料中传播,TM慢波模只能在电负材料...     

大功率VDMOS（200V）的设计研究

介绍了大功率VDMOS（200V）的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围：外延厚度为20μm,外延电阻率为5Ω·cm栅氧厚度为52nm;P阱注入剂量为3×3^12cm^2,推阱时间65min。将流片结果与仿真结果进行了比较。     

用于PDIC的跨阻放大器的优化设计

提出了一种用于PDIC的跨阻放大器.电路由三级相同的推挽放大器级联而成,每级均采用一动态电阻对负载进行补偿,以提高放大器的相位裕度.反馈电阻由一栅极受控的PMOS管替代,避免了大尺寸多晶硅电阻引入的附加相移,增加了电路的稳定性.采用XFAB 0.6μm CMOS工艺提供的PDK,在Cadence Spectre环境下进行电路设计、仿真验证.仿真结果表明,电路的增益、带宽及稳定性均得到满意结果.

Abstract：

Presented is a transimpedance amplifier for PDIC.The designed amplifier is configured on three identical push-pull amplifier stages that use an active load compensated by an active resistor to improve the phase margin of the amplifier.The feedback resistor is replaced by a PMOS transistor which is biased by the gate voltage.The replacement not only avoids the phase-shift introduced by the large ploy-resistor but improves the stability performance of the transimpedance amplifier.Based on XFAB's 0.6 μm CMOS,circuit design and simulation were performed by using Cadence Spectre.The simulation results show that the gain,bandwidth and stability of the amplifier all achieve good performance.     

总体最小二乘法在惯导原位标定中的应用

惯导系统原位标定是提高恒战状态下惯导性能的重要手段.在原位标定输入输出观测数据均含有噪声的情况下,应用传统的最小二乘法进行参数辨识将会得到有偏的结果.因此,为了提高惯导误差参数的标定精度,研究了总体最小二乘法在惯导原位标定数据处理中的应用.首先给出一种16位置标定方案,推导了考虑框架轴、陀螺和加速度计安装误差的惯导系统...     

低功耗自适应跨导-电容带通滤波器电路实现

采用单层多晶硅3.3V,0.35μm CMOS数字工艺,实现了用于蓝牙系统的自适应带通滤波器,其中心频率为2MHz,带宽为1.2MHz,功耗为12mW.并对滤波器PLL自适应电路中压控振荡器(VCO)的谐振条件进行了研究,分析了VCO中运放寄生参数对谐振频率的影响.同时,用一种简单的跨导运放结构作为VCO中的负阻抗,解决了VCO振荡幅度限幅问题.     

分析宽频带、双极化、恒束宽四脊喇叭的混合方法

介绍了作为反射面天线馈源的宽频带、双极化、恒波束四脊喇叭，运用有限元和模式匹配相结合的混合法详细且计算了四脊喇叭的广义散射矩阵。然后运用口面积分计算了四脊喇叭的辐射远场，给出了四脊喇叭和用四脊喇叭做馈源的反射面天线的实测结果。     

基于激光-微波双辐射源少子寿命的测定装置

单晶硅材料中光生少数载流子寿命是太阳电池设计及生产过程中需要考虑的一个重要参数。基于微波光电导法的测量原理,从单晶硅材料中的电导率和少数载流子浓度的关系着手,提出了一种基于激光-微波双辐射源的硅材料非平衡少数载流子寿命测量系统,实现了对其寿命的初步测量。实验表明,该设计方案具有可行性。     

一种带氧化槽的双栅LDMOS

提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9％,击穿电压提高了82.4％.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4％.