线型聚能装药的理论研究

本文提出了一端起爆的线型聚能装药射流形成的不定常理论模型。根据这一模型,当金属罩在爆轰波作用下的运动速度为已知时,则不论此速度是否是时间或初始位置的函数,都能得到射流形成时的速度,质量和位置等参数。 按照本文模型,Defourneaux.M.的定常射流形成定常模型是一个简单的特例。我们利用本文的模型对等厚度装药的情况进行了计算,并与实验结果比较,两者符合良好。同时计算结果表明,考虑射流形成的不定常因素,可以较好地解释射流头部的质量堆积和射流内部的反向速度梯度等实验现象。本文的模型可以为线型聚能切割索的设计提供较为准确的理论指导。     

基于可移动单元的智能反射面辅助近场定位技术

RIS在提高感知系统可靠性方面具有广泛的应用前景。同时,可移动天线技术可以利用天线的局部运动,动态地改变发射机和/或接收机处的天线位置,以优化信道条件,提高通信性能。因此,将可移动天线技术引入RIS,通过充分利用无线信道在有限区域的空间变化,进一步实现智能可控的无线信道传播环境。基于此,研究了一种基于可移动单元的智能反射面辅助近场定位技术。首先,提出了基于近场模型的最大似然定位算法,并推演出衡量定位性能的CRLB。然后,提出了一种基于投影梯度下降的交替优化算法,实现智能反射单元动态位置和波束赋形的联合优化,以获得RIS用于定位的优化结构和相位配置。仿真结果表明,与传统固定单元的RIS相比,通过灵活调整RIS反射单元的拓扑结构,获得更好的信道条件,能够显著降低用户位置估计的CRLB,提高系统的定位性能。     

基于改进互耦系数估计算法的自适应波束形成

阵列信号在实际应用中,常常会面临噪声的干扰,低信噪比(signal noise ratio, SNR)时波束形成器性能会急剧下降.针对该问题,提出一种基于改进互耦系数估计的抗互耦算法的自适应波束形成,即研究信号在不同输入SNR以及不同干扰波达方向(direction of arrival,DOA)估计误差下的互耦系数估计误差;并通过误差分析修正原算法不同SNR下参与估计信号的数目.改进算法改进了导向矢量和期望信号,提高了低SNR下互耦系数估计的准确度,对比分析验证了其在低SNR情况下有更强的抗干扰能力,对互耦现象有着更好的稳健性.     

基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源

压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件。PA85是一种高压、高精度的MOSFET运算放大器。文章介绍了一种基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源，详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析。该电源具有精度高，驱动能力强，结构简单，稳定性好的特点。     

新型600V超快软恢复的PFC二极管

PFC的效率一直是大功率开关电源中人们关注的焦点，此外功率损耗及EMI等参数都是改善电路性能的重要因素。国际整流器公司（IR）推出一种新型超快软恢复二极管，选用这种高性能PFC二极管及相应K系列500V硬开关HEXFET MOSFET，可以大大提高升压电路的FPC效率，并降低30％的功率损耗。     

馈源阵面排列对偏置多波束天线特性的影响

以３７单元馈源阵为例,就用于卫星移动通信系统中的偏置多波束天线进行分析探讨：在原有两种馈源阵阵面排列形式的基础上,又提出了第三种排列形式,即馈源阵的球面排列形式,并对这三种形式下偏置多波束天线的远场特征进行了计算比较,得出了一些有益的结论;另外,将馈源阵阵面适当地偏离焦点也可使多波束天线的远场特性得以改善。     

可调微剪切差平行分束偏光器设计

本文给出了一种可调微剪切差平行分束偏光器设计。它结构简单，调节方便，剪切差连续可调。     

集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器

实现了应用于无线局域网收发机的集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器.压控振荡器是由在片对称螺旋型电感和差分容抗管组成的LC负阻型振荡器,而二分频器采用了ILFD结构.由于采用了差分LC元件和ILFD技术,整个电路的功耗很低.该电路已经用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明该电路能产生低相位噪声的3.6/1.8GHz双带本振信号,并具有很宽的可控频率范围.当电源电压为1.5V时,该电路消耗了5mA的电流.芯片面积为1.0mm×1.0mm.     

一种基于二氧化钒材料的可调谐吸波器设计

为了在THz波段获得TE波下的可调谐吸收频谱, 采用全波仿真的方法, 设计了一款基于二氧化钒材料的可调谐THz吸波器, 对该吸波器的吸收频谱、电场图、表面电流图以及能量损耗图进行分析, 并讨论了结构参量h₄, k以及入射角度θ对吸收频域和吸收带宽的影响。结果表明, 通过外部温控的方式改变二氧化钒谐振单元的物理特性可以获得可调谐的吸收频谱并改善吸波器的吸收性能, 该吸波器在温度T≥68℃时, 可以实现在2.70THz~3.36THz频段的宽带吸收(吸收率在90%以上), 相对带宽达到21.8%;在T＜68℃时, 可以实现多个单频点的吸收; 改变结构参量h₄, k可以改变吸收频点的位置以及吸收带宽, 改变入射角度θ可以影响吸波器的吸收效果。该研究对可调谐太赫兹器件的进一步探究是有帮助的。