泰鼎和恩智浦完成机顶盒和电视系统业务的整合交接

泰鼎微系统和恩智浦半导体近日宣布：泰鼎对于恩智浦电视系统和机顶盒业务的收购已全部完成,这项公布于2009年10月5日的收购,迅速造就了泰鼎在数字家庭娱乐业务领域的行业领导者地位,使泰鼎成为电视和机顶盒领域的行业三强。     

微片激光器线性调频技术的研究

提出一种激光线性调频方法。在微片激光器谐振腔中插入电光晶体,利用电光晶体的线性电光效应,通过对外加电场的控制,可以得到线性调频的激光信号。采用该方法,可获得较高的调制频率和较大的调制范围,能够满足激光雷达和测距仪的要求,而且外加电路实现简单、易控制。     

工艺参数对激光冲击微造型效果的影响

激光表面织构(LST)是一种广泛应用的表面微造型方法,然而其主要缺点是消融过程会导致材料熔化、断裂以及改变表面微观组织。基于激光冲击强化(LSP)技术在Al7075表面开展微凹坑造型研究,其特点是既能克服激光表面织构的缺点,又能继承激光冲击强化的优点。使用AxioCSM700真彩色共聚焦扫描显微镜和VeccoWYKO表面形貌仪观察微凹坑的几何形貌,用HXD-1000TMSC/LCD MH-VK双压头显微硬度计测量微凹坑的内部以及周围表面的硬度。实验结果表明,微凹坑的直径和深度随激光的脉冲能量、冲击次数、离焦量、约束层K9玻璃厚度的变化呈现一定的变化规律;微凹坑的影响区域,沿着凹坑径向方向硬度逐渐增加,中心位置硬度最大,这有利于提高材料的抗磨损能力。     

侧墙技术在相变存储器中的应用

从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题;接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术,并将其在PCRAM中的应用成果进行了分类;然后从加热电极的制备、相变材料限制结构的制备、新相变材料的制备与表征和器件间互联等4个方面展开叙述;最后展望了该技术在相变存储领域应用发展的趋势。侧墙技术因其具备自对准的特点,制备工艺可控性好,制备精度不依赖于光刻精度,在纳米技术飞速发展的今天,侧墙技术将会在更高精度上发挥其作用。     

单分散尺寸可控的SiO_2胶体微球的制备

采用改进的Stber方法-种子颗粒生长法合成高单分散性、尺寸可控的SiO2微球,该方法克服了Stber方法中SiO2胶体微球成核迅速、对反应条件敏感使最终微球粒径难以控制的缺点,在控制超细颗粒形貌和粒径方面具有显著的优越性。通过精细调制正硅酸乙酯(TEOS)、氨水和去离子水的浓度,探索了在最优条件下制备单分散度较高的SiO2微球的工艺技术,制备出23.4～471.3 nm不同尺寸的SiO2微球。结果表明,SiO2颗粒越小,其形貌越不规则;SiO2颗粒越大,其表面越光滑,单分散性越好。     

微机电系统关键技术及其研究进展

微机电系统(MEMS)是在微电子技术的基础上兴起的一个多学科交叉的前沿领域,集约了当今科学技术发展的许多尖端成果,在汽车电子、航空航天、信息通讯、生物医学、自动控制、国防军工等领域应用前景广阔.该文介绍了微机电系统发展的背景与基础理论研究,综述了微机电系统所涉及的器件设计、制作材料、3大加工工艺(硅微机械加工、精密微机械加工与光刻、电铸和注塑(LIGA)技术)、微封装与测试等关键技术,总结了微机电系统在微纳传感器、微执行器、微机器人、微飞行器、微动力能源系统、微型生物芯片等方面的典型应用,最后指明了MEMS技术的发展趋势,有望在近几十年将大量先进的MEMS器件从实验室推向实用化和产业化.     

相机模块焊球阵列器件的底部填充工艺

相机模块的影像感应器件（CMOS／CCD）,其表面封装技术多半采用芯片尺寸封装（CSP）和倒装芯片FC（FlipChip）封装;其功能组件调焦控制器（DriverIC）和低压差线性稳压器LDO（LowDropoutRegulator）等有源器件,则主要采用芯片级芯片尺寸封装WLCSP（WaferLevelChipScalePackaging）。WLCSP是CSP的特殊形式,其表面大小等同于裸晶尺寸,同比CSP封装外形更小性能更稳定,因而在手持便携型产品上应用广泛。     

雷达目标微多普勒特征提取

给出了微动和微多普勒一般定义,推导了任意运动规律的点目标的微多普勒计算公式,引入了微多普勒率的概念,提出了使用微多普勒估计微动目标运动参数的方法,给出了使用时频分布计算微多普勒的方法,并对典型微动目标的多普勒进行了仿真,证明理论分析的正确。     

用于MEMS器件的硅材料塞贝克系数测试结构

综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作。这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成,通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度,从而获知塞贝克系数。加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容。指出这些方法原理简单、测量直接,但必须要求真空环境,尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求。     

TD-SCDMA家用基站参考设计实现低成本

家用基站（或称3G接入点以及毫微微蜂窝基站）是一种专为建筑物内覆盖而优化的低成本基站,可扩展覆盖范围和提高数据传输速率。近日,多核DSP的领先供应商picoChip全资持有的北京设计中心研发出型号为PC8808的TD-SCDMA家用基站（femtocell）参考设计,picoChip首席执行官兼总裁Guillaume d＇Eyssautier表示,PC8808是支持TD—SCDMA标准的首款体系架构。