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41.
介绍一种叠层式压电陶瓷降压型变压器的基本结构,工作原理,等效电路以及实验测度与等效计算的结果,介绍这种压电变压器用于高频开关电源产品的工作状态测试结果;叠层式降压型压电陶瓷变压器用于高频电源的优点及宽广的应用领域。 相似文献
42.
用辐射功率200W微波(2450MHz)处理6~16,明显促进离体黄瓜子叶生根.根长和根鲜重增加。不同辐射强度和辐服时间对离体黄瓜子叶生根有不同影响。用TTC法测定,微波处理后与根活力相关的OD值比对照体增加了。用温箱模拟FISO微波炉功率为200W的温度,不同处理时间处理离体黄瓜子叶,没有发现促进生根。说明在一定条件下,微波辐射处理离体黄瓜子叶促进生根.主要是微波的辐射效应。 相似文献
43.
空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
44.
高温超导移动电话基站子系统可以明显提高基站的性能,因此受到广泛的重视。我们利用一个高性能超导滤波器,低噪声放大器,脉冲管制冷机和有关的微波线路集成了一台完整的高温超导移动通讯基站子系统原理性样机。该子系统是针对DCS1800基站系统,频段为1710-1785MHz,系统增益为18dB,该子系统是国内研制成功的首台原理性样机。这表明对高温超导微波器件的应用研究已取得了阶段性的重要成果。性能更好的实用子系统样机正在研制中。 相似文献
45.
46.
47.
ZENG Hao BAI Xingyu RAO Jun 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2004,(1):65-67
When we carry out lower hybrid wave heating and current driving plasma experiment at tokamak, we need mega-watt order of microwave power. The microwave signal at frequency of 2450 MHz is generated by a microwave exciter. According to the experiment's demands, the microwave exciter must provide output power of 1.5~ 2. 5 W with stabilized frequency and amplitude tobe used as the klystron input. Being amplified by the klystron, the microwave signal is transmitted through the transmitting system to the antenna and is emitted into the HL-2A tokamak. So we can see that the microwave exciter's function is very important to the lower hybrid wave heating and current driving plasma experiment. 相似文献
48.
熔断器在电路保护中起着关键作用。对熔断器的基本要求是不该断的时候不能断(比如在出现浪涌电流的时候),该断的时候一定要断(比如出现需要切断的过载电流的时候)。选择正确的熔断器至关重要,本文对熔断器的选择做一详细介绍。 相似文献
49.
Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature 下载免费PDF全文
Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献
50.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献