利用“热”标准芯片评价集成电路的热性能

本研究研制出了符合国情的“热”标准芯片Ｓ、Ｍ、Ｌ三种规格，研制出了壳温变化小于０．５℃，相对误差小于２．３１％的恒定壳温电学法ＩＣ热阻测试系统，获得了２４种常用外壳和多种封装工艺热阻典型值及离散性，定量分析了同种样品，不同厂家封装的热阻差别；芯片面积对热阻的影响；粘片工艺对热阻的影响；背面金属化对热阻的影响。本研究还进行了实际电路与标准芯片稳态热阻比较，电学法与红外法热阻比较，说明研究成果有很好的     

WKB近似下的Fourier衍射成象方法

对于介质目标微波衍射成象，本文引入了ＷＫＢ近似来模拟目标内部总场。基于这种近似，我们导出了Ｆｏｕｒｉｅｒ衍射公式，并采用了广义滤波逆传播方法由目标空间谱实现目标特性的重建。计算机模拟结果表明采用ＷＫＢ近似重建目标特性较Ｂｏｒｎ近似有明显改善。     

微波宽频带功率负载的研究

介绍了５００Ｗ宽频带功率负载的设计及实验结果，并将研究成果扩展到１０～１０００Ｗ范围。负载主要技术指标：输入阻抗５０Ω，频带宽度０～１０００ＭＨｚ，电压驻波比≤１．１．表面最高温升△ｔ≤１００℃。     

红外热像在混合集成电路热性能分析中的应用

本文介绍了红外热像法测温的基本原理及测量方法，说明了红外像在混合集成电路热性能分析的应用范围，并给出了应用实例，同时指出了红外热像法应用的前景和局限性。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。     

提高微波功率源性能的一种新型控制系统

本控制系统用于抑制大功率速调管输出微波功率宏脉冲平顶波纹,改善电子直线加速器输出束流的品质.控制方法采用微分线性逼近和矩阵算法对系统的输入和输出进行分析,求出代表系统响应的传输矩阵,从而将复杂的激励一响应计算转化为简单的代数运算.实验结果显示出宏脉冲平项波纹得到了有效抑制,说明采用自适应前馈控制来获得平坦的宏脉冲平顶是切实可行的.     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

四川 VS 内蒙——关于数字电视功能结构扁平化的对话

一场关于数字电视功能结构扁平化的对话主持人(西部广播电视编辑部主任刘曙光,简称A):同志们、朋友们:你们好!今天我们请到两位嘉宾.一位是内蒙古广播电视厅微波总站运管部主任倪桂珍同志(简称B),她从千里之外的内蒙来到四川,希望就数字电视扁平化技术,两个省区架起合作的桥梁.另一位是四川省广播电影电视局传输发射中心的王典荫总工程师(简称C),数字电视扁平化技术,就是他首先提出来的.四川省用扁平化技术完成的微波数字化升级,试验电路已长达1400km.内蒙拥有国内最大的省区级微波网,运营管理在广电系统内堪称一流.所以,两个省区在数字电视扁平化技术上的联手,具有举足轻重的意义.现在就开始我们的访谈.     

Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4

The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La_2-xBa_xCuO₄ at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La_1.48Nd_0.4Sr_0.12CuO₄. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text.