高可靠镀Ni／Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用

介绍了高可靠电镀Ｎｉ／Ａｕ工艺在ＰＴＦＥ微波印制电路上的应用，并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ｎｉ／Ａｕ镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比，在软基材ＰＴＦＥ敷铜箔板上镀Ｎｉ／Ａｕ工艺能大大提高微波电路的可焊性，高温稳定性和长期可靠性，并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。     

调幅微波链路（AML）有线电视传输系统

90年代以来，利用微波无线传输来建台或进行CATV联网引起了国内有线电视台的普遍重视，利用微波传输电视信号无论从技术上和经济上都比较可取，尤其对于一些地域空旷，用户稀散，地形复杂的CATV分布区域以及不便敷设电缆和光缆或架缆线成本太高的地区更为适用。目前利用微波传输电视信号的方式以多路微波分配（MMDS）方式为主，其具有建网容易、施工周期短、传播图像质量高、容量大及维修方便等优点。但是MMDS系统也有其明显的不足之处，它工作于微波频段，比VHF／UHF频段高得多，波长很短，任何阻挡物都会截断传输的路径，使用户…     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

S波段微波取样锁相振荡源

较详细地介绍了一种Ｓ波段微波取样锁相振荡源的工作原理，性能，及设计中应解决的关键问题。该振荡源作为本振已应用于遥测接收机和接收变频器中，取得了满意的效果。     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。     

定向能武器技术发展的回顾与展望

本文综合介绍了定向能武器的技术发展水平和未来发展趋势。     

高山微波站的防雷改造及效果

本文简述了微波站雷电灾害的产生机理和防护方法。分析了708台高山微波站雷电灾害产生的原因，论述了该站综合防雷工程的改造效果，为高山微波站防雷与接地系统的改造提供了参考方案。     

中物院远红外自由电子激光实验研究

中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.