真空微电子微波管

本文在扼要地提及真空微电子学的主要进展（如：场发射阵列，场发射显示器和微波毫米波器件等）后，主要叙述了发展真空微电子微波管的主要内容，问题及其意义，场发射阵列的三个重要特点（冷阴极，高发射能力和栅极控制）可用于发展新一代的高频率，高效率，高功率，超小型和长寿命的面向２１世纪的高性能微波管：真空微电子微波管，双栅极场发射阵列，电子流的形成与维持，与其相匹配的互作用电路，特殊的器件结构和相关的制管工艺     

固定宽带无线接入与移动宽带无线接入的比较

现今,信息通信从窄带向宽带、从有线向无线转变乃大势所趋。随着中国各运营商通信网络的迅猛发展,用户对网络的平均服务质量要求也越来越高,宽带无线接入技术作为一种有效的宽带解决方案而普遍地受到了人们的重视。那么,固定宽带无线接入与移动宽带无线接入有什么不同呢?本文首先在研究了固定宽带无线接入系统与移动宽带无线接入系统的网络结构后,重点讨论了两者的不同之处,即做了一个对比研究。希望能给相关人员有所参考。     

微波消解凯氏定氮法快速测定酱油中全氮

研究了凯氏定氮法测定酱油中全氮时样品的微波消解方法,进行了微波消解条件的选择及消解结果精密度试验,并与国家标准方法对比,验证了方法的准确度。试验结果表明,消解完全仪需20min,相对标准偏差均小于2%（n=7）,回收率范围为96%～103%,经t检验,微波溶样法与国家标准凯氏定氮法的测定结果无显著性差异。     

0.7CaTiO_3-0.3(La_xNd_(1–x))AlO_3微波介质陶瓷的研究

利用传统固相反应法制备了具有不同LaAlO3含量的0.7CaTiO3-0.3(LaxNd1–x)AlO3(以下简称CTLNA)系微波介质陶瓷,研究了所制CTLNA陶瓷的微观结构和微波介电性能。结果表明,用x=0.5的La3+取代Nd3+能有效促进样品晶粒的均匀分布,降低样品的气孔率。少量添加SrTiO3能进一步增加样品的致密度,提高CTLNA系微波陶瓷的介电性能。经原料组分及工艺优化,制备的0.7(Sr0.01Ca0.99)TiO3-0.3(La0.5Nd0.5)AlO3样品密度高、晶相均匀,其微波介电性能如下:εr=45.87,Q.f=41 612 GHz(4 GHz),τf=10×10–6/℃。     

耦合式MEMS微波功率传感器集总参数模型的优化

耦合式MEMS微波功率传感器的集总参数模型可用于分析并计算器件的微波特性,是设计传感器相关结构尺寸的重要参考依据。针对目前传感器日益复杂化的阻抗匹配结构,对现有的集总参数模型进行了优化,并进行了相关理论推导。实验结果表明,优化后的模型计算出的反射系数最大误差为6.0 dB,插入损耗最大误差为0.7 dB,模型准确度相较于优化前有了明显的提升。因此,优化的集总参数模型对耦合式MEMS微波功率传感器的设计与优化具有一定的应用价值与参考意义。     

多波长集成光源阵列封装用微波馈线设计

针对多波长集成光源阵列封装设计了一种具有低传输损耗、低串扰的阵列微波馈线。通过分析微带线和接地共面波导在传输高频微波信号时的优缺点,设计了一种桥型微波馈线结构。同时利用有限元法,对馈线尺寸参数进行仿真优化。在30GHz范围内,得到了反射系数低于-17dB、传输损耗小于0.4dB、相邻信号电极间串扰小于-26dB的仿真结果。设计了基于金线键合的阵列芯片方案,并通过有限元法仿真确定了传输性能良好的封装间距。     

微波分离场加热焊锡膏的实验研究

微波加热作为一种快速、高效、清洁的加热方式,在材料处理领域得到了广泛应用。本文结合金属粉末的微波耗散机理,分析了焊锡膏在微波电场及磁场中的加热特性,通过实验研究了焊锡膏电路在微波电场、微波磁场中的加热效果。实验结果表明,微波电场和微波磁场均可快速加热焊锡膏,但高强度的微波电场容易激发等离子体,灼伤基板;而微波磁场则选择性地加热焊锡膏,实现快速加热融化焊点的同时保持基板在较低温度。通过对比微波磁场快速融化的焊点与传统方式加热融化焊点的微观结构,发现微波磁场快速加热融化的焊点具有极薄的金属间化合物厚度,有利于提高焊点强度。该研究为柔性等塑料基电路的焊接提供了一种良好的解决方案。     

基于WiMAX接入下的软交换性能测试

WiMAX技术作为无线宽带城域网标准，在非视距传输及频谱利用效率方面较以前的3．5GHzMMDS产品具有较大优势。而作为下一代网络的核心之一，基于IP网络的软交换技术在综合业务接人、QoS等级保证方面也已经非常成熟，即将替代现有的PSTN设备。     

基于滑动窗口的接入新方案

在大规模机器类通信(Machine Type Communication,MTC)中,当短时间内大量的设备涌入LTE-A(Long Term Evolution-Advanced)网络,同时发起随机接入的时候就会造成严重的网络拥塞,需要采取合适的措施对拥塞加以控制.为此,本文提出了一种基于滑动窗口的拥塞控制方案,通过窗...     

GaAs衬底共面波导S参数标准样片研制

GaAs等固态微波裸芯片电性能测试需要采用探针将共面波导参考面过渡到同轴参考面。设计制作了用于微波探针校准的GaAs衬底的计量级标准样片,包括SOLT 和TRL 校准模块,以及匹配传输线、衰减及驻波等验证模块。提出了平衡电桥结构,兼具衰减驻波标准,带内平坦,且工艺适应性好。经过与国外校准片比对,验证了频率覆盖100 MHz ~50 GHz,驻波比测量范围:1.1,1.5,2.5,5,10;衰减测量范围:-1 dB,-2 dB,-3 dB,-10 dB,-20 dB,-30 dB,-40 dB;匹配负载反射损耗小于-30 dB。同时提取了SOLT校准模块的矢网校准用参数。