30.4 nm光电成像系统分辨率的初步实验研究

本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统，用于对波长为30．4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像．结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像，实验测得490μm的成像系统的空间分辨率，并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施．     

采用同心旋转调制盘的红外检测系统

介绍了采用同心旋转调制盘和相应的逻辑门积分计数的积累检测技术的基本原理，并给出采用同心旋转调制盘的红外检测系统的基本结构，介绍了同心旋转调制盘系统的设计方法，通过对实验结果进行分析，表明同心旋转调制盘技术在红外检测系统应用中可以大大地改善系统的性能，提高了探测概率，降低了虚警概率。同时分析了该系统存在的问题，为红外检测技术的进一步发展提供一些经验。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

CXS系列旋转冲洗甩干机介绍

ＣＸＳ系列旋转冲洗甩干机是由信息产业部电子第四十五研究所根据国内半导体产业的发展和市场需求 ,于 2 0 0 0年研究开发的旋转冲洗甩干设备。该系列机型具有高洁净度旋转冲洗甩干功能。主要用于硅圆片、掩模板、太阳能电池等类似材料的冲洗甩干。是半导体湿法清洗工艺中必不可少的主要设备之一。1　ＣＸＳ系列机型ＣＸＳ系列机型针对不同用户、不同工艺需求、不同应用场合开发了系列化机型。用户可按自己的要求和不同工艺选择适合自己的机型型号和功能配置要求。其中 ,ＣＸＳ— 2 15 0ＯＡ型为双工作腔结构 ,最大加工片子直径15 0ｍｍ。…     

微位移测量用的自准式两束光纤传感器系统

1.前言由于在某些领域,如远距离观测、自动控制、生命医学技术等方面光纤传感器都用到了,因此对它进行更深一步的研究具有重大意义。基于光纤传感器容易操作,人们比较喜欢把它们用于位移、温度、压力、弯曲变形等物理量的测量。特别是因为:某些物理变化所引起的位移     

纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究

本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风，采用了硅微机械技术，且实现了麦克风电容两电极之间的自对准，大大提高了麦克风的生产效率，降低了成本．纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用，而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加，这些都显著地提高了麦克风的灵敏度，是该项新结构的关键．本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系，及结构的优化进行了研究．通过对制作出的不同结构参数ｑ值的麦克风的测试，得到了与初步理论分析基本相符的实验结果．实验证明，纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风     

非接触性摩擦

 接触性摩擦是一个物体表面上的原子“突起”滑过另一个物体表面的原子“凹陷”产生的。康奈尔大学的赛佩·库恩(SeppeKuehn)和同事,利用0.25毫米长、几千个原子厚的单晶微悬臂梁,观测相距1纳米的两表面间的非接触性摩擦。使悬臂梁与一个表面垂直,并使其向下做如同钟摆一样的运动,在这样的运动状态下调整悬臂梁,悬臂梁将因感应到下方表面的摩擦而慢下来。令人吃惊的是,非接触性摩擦力依赖于样本的化学性质。通过研究不同聚合材料的化学依赖性,这几位研究者直接检测了因样本中分子运动导致弱电场波动而产生的摩擦。     

纳米级精度分光路双频干涉度量系统的设计

为完成快速、精确的外观轮廓度量,设计了一种新型纳米级精度分光路双频干涉度量系统。系统由低频差双频激光干涉度量模块和微探头及二维工作台两部分组成。微探针以轻敲式接近样品至几十纳米时,受原子力作用发生偏转,利用双频干涉模块度量其纵向偏转量,并对样品进行梳状式度量得到外观形貌。根据双频激光的实际光源,对原有双频干涉度量理论进行了改进提高。进行了系统组建和实验验证。结果表明:系统具有纳米级精度,可用于超精样品外观轮廓度量。     

由光率体求导折射率及振动方向的新方法

从光率体出发，利用坐标轴旋转，导出了光在晶体中传播时折射率及振动方向的公式。     

Si基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能

微结构气敏传感器由于其微型化、低功耗、易阵列化和易批量生产等优点而受到国内外研究者的广泛关注。利用微机电系统（MEMS）加工技术，制备Si基膜片型微结构单元，并分析其热学性能。这种单元工作区温度为-300℃时，加热功率约75mW；并且膜片工作区的热质量很小，温度可以于毫秒量级的时间内，在室温和450℃之间调制。利用这种微结构单元，可以在温度调制方式下，研究气敏薄膜的电学特性和敏感机理。