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71.
SAW软扩频调制解调器的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘积学  钟先信 《压电与声光》2004,26(5):351-353,356
报道了一种直接序列软扩频调制解调器的SAW实现方案,并给出了相应的实验结果。该方案对提高系统抗干扰能力、频宽利用等方面均具有与其他技术不同的特点。同时,该技术方案为进一步研究DS-OFDM打下了基础。  相似文献   
72.
详细阐述了微硅加速度计的原理,根据材料力学以及结构动力学原理,分析了叉指式驱动/检测结构的动力学模型,推导了等效质量、等效阻尼、等效刚度等关键参数模型,分析了灵敏度、横向干扰等和结构参数的关系,为微硅加速度计的优化设计与改进提供了理论指导,实现了最优化设计和仿真.  相似文献   
73.
文中主要介绍了叠盖电极技术在SPRITE探测器上的实际应用,并给出了具体实验结果。选择适当的叠盖电极尺寸可以使SPRITE的响应率Rυ提高一倍以上,探测率D^*普遍提高30%左右,高的可达80%。实验结果表明,叠盖电极技术明显地提高了SPRITE器件的性能,是一种简便的提高SPRITE性能的新途径。  相似文献   
74.
本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统,用于对波长为30.4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像.结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像,实验测得490μm的成像系统的空间分辨率,并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施.  相似文献   
75.
可编程模拟器件与技术新进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
简述可编程模拟器件的基本原理、典型应用和开发方法,介绍并比较主要的模拟可编程实现技术与主流器件系列,指出现存的主要问题并展望其未来发展方向.  相似文献   
76.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
77.
现场可编程门阵列(FPGA)和编程工具介绍 0.6μCMOS工艺FPGA的推出是微电子工艺进步引起系统设计变革的一个非常成功的例子。它也是半定制门阵列的设计方法和现场用户可编程的设计要求结合的产物。由于FPGA的推动,系统集成单一的ASIC途径已经被越来越多的FPGA原型设计和嵌入式CPU Core和DSP Core的设计所补充。FPGA的设计方法至少在三个方面为系统用户提供了设计手段:一是把FPGA作为设计的原型验证;二是把FPGA作为储备设计的手段;三是把FPGA作为产品上市阶段的暂时采用的电路。一旦市场形势走俏,立即用MPGA的正式电路替代。  相似文献   
78.
1.前言由于在某些领域,如远距离观测、自动控制、生命医学技术等方面光纤传感器都用到了,因此对它进行更深一步的研究具有重大意义。基于光纤传感器容易操作,人们比较喜欢把它们用于位移、温度、压力、弯曲变形等物理量的测量。特别是因为:某些物理变化所引起的位移  相似文献   
79.
应用于生物医学的光声光谱技术的改进和实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
改进的光声光谱归一化技术,避免了普通的分光法归一化光声光谱技术中分束镜以及锁相放大器动态范围的影响和限制,实现宽光谱范围内准确的光谱测量。氙灯光源功率起伏用修正项修正,误差在5%以内,实现各次实验数据的可比性。  相似文献   
80.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
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