全文获取类型
收费全文 | 20057篇 |
免费 | 3611篇 |
国内免费 | 3311篇 |
专业分类
化学 | 4703篇 |
晶体学 | 262篇 |
力学 | 861篇 |
综合类 | 353篇 |
数学 | 2427篇 |
物理学 | 6002篇 |
无线电 | 12371篇 |
出版年
2024年 | 188篇 |
2023年 | 579篇 |
2022年 | 718篇 |
2021年 | 758篇 |
2020年 | 549篇 |
2019年 | 611篇 |
2018年 | 415篇 |
2017年 | 642篇 |
2016年 | 703篇 |
2015年 | 774篇 |
2014年 | 1372篇 |
2013年 | 974篇 |
2012年 | 1158篇 |
2011年 | 1234篇 |
2010年 | 1194篇 |
2009年 | 1282篇 |
2008年 | 1468篇 |
2007年 | 1328篇 |
2006年 | 1209篇 |
2005年 | 1185篇 |
2004年 | 1162篇 |
2003年 | 1233篇 |
2002年 | 862篇 |
2001年 | 734篇 |
2000年 | 581篇 |
1999年 | 556篇 |
1998年 | 482篇 |
1997年 | 510篇 |
1996年 | 462篇 |
1995年 | 418篇 |
1994年 | 329篇 |
1993年 | 278篇 |
1992年 | 257篇 |
1991年 | 228篇 |
1990年 | 215篇 |
1989年 | 189篇 |
1988年 | 35篇 |
1987年 | 24篇 |
1986年 | 20篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 10篇 |
1979年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1959年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
142.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
143.
144.
145.
与电功率反馈控制信息相比,偏振度(DOP)作为偏振模色散(PMD)动态补偿技术中的反馈控制信息在码率透明等方面有其优势.本文以准单色光理论和2×2相干矩阵为基础,推导了DOP与差分群延迟(DGD)之间的一般数学关系,推导中考虑了光脉冲波形函数、脉冲宽度、光在两个偏振主态上分光比等因素对这一关系的影响;给出了表示两偏振主态(PSP)方向上光脉冲交叠程度的相干函数;计算了当脉冲波形函数为高斯型时DOP的表示式,给出了当分光比为0.5和不同高斯脉冲宽度下光偏振度随差分群延迟变化的关系曲线.将理论计算结果与用10Gb/s的伪随机序列在归零码(RZ)下的实验测量数据进行了比较,表明在一定的DGD范围内理论计算与实验结果一致. 相似文献
146.
金属包覆平板波导模式特性的有限元法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
采用有限元法(FEM)分析了具有复数折射率的金属包覆介质波导的模折射率与模场分布情况。计算了具有损耗层的6层介质平板波导模折射率,并与解析解比较,二者有较好的一致性;分析了金属包覆3层平板波导中TM模折射率与波导芯厚度的变化关系,计算了金属包覆5层平板波导中TM模折秧经与金属层厚度的变化关系,并结合对模场分布的分析对模式进行了定性判断,给出了其模式演变过程。 相似文献
147.
Bush连续不可微函数的分形性质 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对用递推关系确定的Bush连续不可微函数,找出了迭代函数系(IFS),从而得到它的级数表达式和所具有的自仿射分形的有关性质.最后还计算出函数图象的Hausdorff 维数的准确值. 相似文献
148.
149.
150.
文章对国内外开展微区薄层电阻测试的方法进行了综述,特别对改进范德堡四探针技术方法的测试原理、测试过程与测试结果进行了论述与分析,对微区电阻测试方法的进一步发展提出了一种可操作的方法,并研制出新型四探针测试样机。 相似文献