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941.
应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12 和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与“应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向“有关.  相似文献   
942.
钟控开关     
  相似文献   
943.
杨文正  陈烽  冯晓强  杨青  侯洵 《光学学报》2002,22(9):123-1128
建立了“脉冲激光-连续探测光-连续擦除光”的实验系统。在532nm的调Q脉冲激发光和不同波长的连续探测光作用下,研究了细菌视紫红质(BR)膜的光循环过程中的快速响应特性及各中间态的快速光吸收特性。观察到了微秒量级的快速光开关现象,并分析了激发光脉冲作用结束时,各中间态上细菌视紫红质分子的分布。  相似文献   
944.
改进型非对称Y分叉内全反射光开关特性分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
提出一种改进型非对称Y分叉内全反射光开关,较详细地分析了结构参量对光开关消光比和损耗的影响,优化设计后开关的消光比可大幅度提高,并给出了一种优化设计的方案.  相似文献   
945.
连续固体激光器用声光Q开光   总被引:1,自引:0,他引:1  
何晓亮  刘伟  艾毅智 《压电与声光》2002,24(1):23-25,41
介绍了用于连续固体激光器调Q用的声光Q开关,用述了其原理、设计和制作过程。给出了光孔径为φ4mm,光波长1.06μm,衍射损耗>50%,驱动功率50W,插入损耗<5%的实验结果。  相似文献   
946.
采用流体模型对等离子体电极普克尔盒(PEPC)电光开关单脉冲过程进行了数值模拟分析.模型包括带电粒子连续性方程、动量守恒方程、电子平均能量方程及空间电位泊松方程.分别采用隐式指数差分格式,超松弛迭代法(SOR)和经典四阶龙格-库塔法(R-K)对带电粒子连续性方程,泊松方程和电子平均能量方程进行数值求解.模拟分析了PEPC单脉冲过程中的带电粒子浓度、电子温度、空间电场、PEPC的放电电流、晶体两侧电压和开关效率的时间演化特性.模型得出了PEPC中气体放电等离子体的微观物理过程与PEPC宏观参量的关系,对设计 关键词: 等离子体电极普克尔盒 电光开关 数值模拟 气体放电  相似文献   
947.
根据超短光脉冲在光纤中传输的非线性薛定谔方程,模拟了不同色散参量情况下色散补偿和色散位移光纤对增益开关半导体激光器产生的光脉冲的压缩,给出了光脉冲在经过色散补偿光纤前后的啁啾曲线。结果表明,使用色散参量D分别为-150,-180和-20ps/(nm·km)的色散补偿光纤可以实现其他脉冲压缩方法的压缩效果,最大压缩因子达到6.09,但色散参量越大,所需光纤长度就越短。此外,脉冲经过色散补偿光纤后线性啁啾几乎为零。还利用色散位移光纤对脉冲进行孤子压缩,脉冲宽度由最初的45ps减小到1.23ps。指出采用这2种光纤相结合的方法可以对光脉冲实现高效压缩。  相似文献   
948.
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超快速导通模式。基于此,研究了触发区域宽度对PCSS输出特性影响,结果表明,宽度变大会促进载流子密度急剧倍增和雪崩电离畴的快速演化,缩短PCSS的延迟时间和导通时间。研究分析了不同触发位置对延迟时间与导通时间影响,结果表明,阴极触发的延迟时间明显低于阳极触发,而导通时间受触发位置的影响不显著。  相似文献   
949.
张帆  田川  马世川  解江远  金兆鑫  荆晓鹏 《强激光与粒子束》2023,35(2):023006-1-023006-5
设计了一款体积紧凑、工作在特高频波段的宽带高功率微波源,系统利用24 V蓄电池供电,Marx发生器作为驱动源,采用四分之一波长开关振荡器调制产生宽带电磁脉冲,激励高功率微带平板天线辐射,测试结果显示系统工作中心频率为425 MHz,远场辐射场强-距离积峰峰值为91.5 kV@1 m,该微波源体积尺寸为871 mm×370 mm×330 mm,含电池质量小于43 kg,拓展了宽带高功率微波技术在无人机、机器人等平台的应用前景。  相似文献   
950.
王毅  黄凯  苏子舟  王遂  闫杰 《强激光与粒子束》2023,35(2):025004-1-025004-8
在使用基于高频开关变换充电技术的充电机对脉冲电源充电时,由于充电回路中分布电感的存在,在高频电流充电过程中,会在充电机T型保护回路两端产生高于充电电压的过电压,存在损坏T型保护回路半导体功率器件的风险;为解决此问题建立充电机及脉冲电源回路仿真模型,通过仿真分析得到充电回路分布感变化对T型保护回路影响的初步规律,然后通过实验进一步验证该规律。为了减少充电回路分布电感对T型保护回路影响,针对性地提出了减少充电回路的分布电感解决方案,主要方法是改变输出线缆类型、长度等措施,并通过仿真与实验来验证该方案的有效性,为脉冲电源工程化应用提供可靠的参考依据。  相似文献   
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