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871.
<正> HM9204厚膜电路组成的开关稳压电源 图1是用在日立HA两片机电路中的开关稳压电源简图,该电源属于自激串联型脉冲调宽式开关稳压电源,受行频同步。从电路中可以看出,除开关管V901之外,稳压取样电路、比较放大电路和脉宽调制管都封装在HM9204厚膜电路内(如虚线框内所示)。这种厚膜电路称为非全厚膜电路。 相似文献
872.
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关, 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。 相似文献
873.
874.
微光成像系统的阈值探测理论和视距探测方程的研究(续)艾克聪(四安应用光学研究所710100)3实际成像系统探测方程的研究和分析为了克服理想成像系统探测方程存在的局限性和不足之处,许多专家学者对其作了进一步的深入研究,提出了各种不同的改进和修正意见,以... 相似文献
875.
876.
877.
878.
ACSTX系列AC开关嵌入了TRIAC结构并带有一个高压箝位器件.是ST公司推出的AC开关器件家族的一个分支,主要为用于驱动和控制家用电器和工业控制系统的感应电机等电感性负载而专门设计。 相似文献
879.
采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC~ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %~ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平 相似文献