Stray light analysis of low-level-light optical system with LightTools software北大核心CSCD

为解决低照度微弱信号探测的微光光学系统杂散光问题,研究了杂散光的原理和特性。利用光学系统建模软件LightTools对微光光学系统进行仿真建模,并开展杂散光分析。为减少杂散光,在物镜筒的筒壁加工消光螺纹,并针对不同形式的消光螺纹,开展了能量仿真模拟。仿真结果表明,采用螺距0.35 mm的消光螺纹,能够将杂散光系数从7%降低到4%。仿真分析结果与实验结果一致,为其他微弱信号探测光学系统在设计阶段对杂散光进行消除提供了指导。     

氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究

采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。     

塑料非球面与折/衍面混合微光夜视物镜设计

将衍射面和塑料非球面元件引入到传统的Petzval型球面系统中,设计了含有1个衍射面和1个塑料非球面元件的5片单管双目式微光夜视物镜,并分析了塑料元件的热效应影响,计算了衍射面的加工工艺参数.该物镜具有长焦距、大相对孔径、小畸变的特点;在物距L=oo和L=10m、空间频率为40 1p/mm时,轴上传递函数≥0.70,轴外传递函数≥0.50,全视场畸变≤0.40%;光学总长由传统物镜系统的128 mm缩短为110 mm,重量仅为190 g,减少为传统物镜的62.5%,适用于夜间瞄准与测量.     

晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究

首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。     

新类CCD图像传感器

正近日,安森美半导体(ONSemiconductor)公司推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术,为工业市场的微光成像树立新的基准。这项新技术结合安森美半导体领先业界的行间转移(Interline Transfer,IT)CCD像素设计及新开发的电子倍增(Electron Multiplication,EM)输出结构,使图像传感器方案能够提供亚电子(sub-electron)噪声性能     

利用等厚干涉条纹测量微光的调制传递函数MTF

通过对微光的调制传递函数 (MTF)的讨论 ,结合传统的“分辨率板法” ,提出了一种新的测量微光的MTF的方法。该方法直接从MTF的物理含义出发 ,利用迈克尔逊干涉仪产生一系列空间频率的等厚干涉条纹来模拟分辨率板的作用 ,在计算机的控制下 ,自动测量出连续的MTF曲线。给出的实验光路和实验结果表明 ,利用干涉条纹测量微光的MTF是一种可行的简便方法 ,在计算机的控制下 ,可快速完成夜视仪的传递函数测量     

中国研发出世界最大功率LED光源并掌握封装技术

华中科技大学目前发布消息，由武汉光电国家实验室（筹）微光机电系统研究部和华中科技大学能源学院合作，共同封装出了目前世界上最大功率LED光源，开发出了具有中国自主知识产权的封装技术，在国际上处于领先水平。     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

提高考夫曼型离子源束流密度的研究

本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果，对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究，取得了一些有价值的结果。