不同排烟方式HAT循环性能对比

对三种不同排烟方式HAT循环的模拟分析表明,在总压比一定时,排烟方式对比功影响很小,采用引风机排烟的HAT循环比直接排烟及回热法排娴的电效率最多分别高出1和1.5个百分点,最高效率时的引风机压比在1.5～1.6左右.引风机排烟带来的压缩耗功下降和湿化器出水温度降低是效率升高的主要原因.水回收率相对偏低,且性能受烟气冷凝温度和引风机压比影响较大.     

改进的任意基FFT整序算法

本文提出了一种改进的适合于任意基ＦＦＴ变换的整序算法,改进整序算法采用循环嵌套结构,减少了运算量,实验结果表明,改进整序算法的运算时间较其它整序算法少。     

基于Contourlet变换的图像消噪处理

文中提出了一种基于区域和Contourlet变换相结合的图像融合新方法,新方法利用小波Contourlet变换良好的多尺度性和多方向性特征,结合Contourlet变换的多聚焦图像融合算法,得到高频和低频图像。小波Contourlet由于变换缺乏平移不变性而产生图像失真,弱边缘具有几何信息,而噪声却不具备这个性质。为了在去噪声的同时更多地保留弱边缘信息,再次利用到循环平移的方法。实验结果表明,该文方法不仅在客观评价指标上优于小波变换法,而且从主观评价上来看,文中所提方法得到的图像更加清晰。     

100 nm P型超浅结制作工艺研究

介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。     

低信噪比条件下的调制方式识别

传统的调制方式识别方法通常假设接收信号是平稳随机过程,一般要在信噪比不低于10dB时才能取得较高的识别率。本文根据模拟调制信号的谱特性和谱相关特性,给出了低信噪比下的调制方式识别算法,理论分析和仿真结果表明,本文提出的算法,在低信噪比(3dB)条件下,仍然具有很高的识别率。     

OFDM信号调制类型盲检测研究

提出了一种基于谱相关的正交频分复用信号(OFDM)子信道调制方式盲检测算法.该算法利用循环谱相关检测特征参量实现对子信道调制方式的检测,所提出的特征参量可抑制高斯噪声的影响.通过计算机仿真评估了该算法对正交频分复用信号(OFDM)子信道调制类型盲检测的性能,表明这种算法在高斯信道下具有很高的调制方式识别性能和很强的稳健性.     

飞思卡尔推出其下一代DSC产品组合——MC56F84xx

飞思卡尔日前推出其下一代DSC产品组合的第一个系列产品——MC56F84xx,该产品集成了高速模拟功能和高效32位数字信号处理器内核,可以对电源(数字电源转换)和电机提供精确的数字控制。MC56F84xx系列的性能、精密度、准确度和控制能力有助于改善这类应     

Model GC1312S Multifunction Integrated Optical Circuit Devices

Model GC1312S multifunction integrated optical circuit device (MIOC) used in inertial-grade interferometric fiber optics gyroscopes(IFOGs) is fabricated by annealing and proton exchange process(APE) 。The unique feature of the device is the incorporation of the beat detection circuit besides all the features the conventional single Y-branch multifunction integrated optical circuit devices have.The device structure ,operation principle and typical characteristics, etc, are briefly presented in this paper.     

金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管

对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.     

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.