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电路过渡过程所列方程是微分方程,本文中采用的是方框图模型分析法,即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加(减)、乘(除)、积分(微分)、增益等运算,采用VB设计用户界面产进行计算,并给出了一算例。 相似文献
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本文研究三维热传导型半导体器件瞬态模拟问题的数值方法。针对数学模型中各方程不同的特点,分别提出不同的有限元格式。特别针对浓度方程组是对流为主扩散问题的特点,使用Crank-Nicolson差分-流线扩散计算格式,提高了数值解的稳定性。得到的L^2误差估计关于空间剖分步长是拟最优的,关于时间步长具有二阶精度。 相似文献
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原子吸收光谱法测定铝锂合金中锂 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了用原子吸收光谱法在笑气-乙炔火焰中测定铝锂合金中锂的最佳条件。其电离干扰可通过加进钾进盐来控制。应用本法测定合金中 锂的含量,获得了满意结果。 相似文献
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一类分式不等式的证法——柯西均值法 总被引:3,自引:3,他引:0
一类分式不等式的证法—柯西均值法陶兴模(重庆市铜梁中学632560)众所周知,柯西不等式(a12+a22+…+an2)(b12+b22+…+bn2)(a1b1+a2b2+…+anbn)2(ai∈R,bi∈R,ai=kbi时取等号,i=1,2,3,…... 相似文献
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非线性规划的拟下降方法:概念,模型及应用 总被引:7,自引:0,他引:7
§1.引言 考虑一般非线性规划问题: (P)min{f(x)|x∈S},其中S?R~n为一非空闭集,f:R~n→R~1。 求解(P)的下降算法的基本思想是:在当前点x_k∈S处,(若x_k不是某种期望的 相似文献
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本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. 相似文献
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