STM在微细加工中的应用

 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

Extended Power Law Nonlinear Response and Amplitude-Dependent ac Susceptibility of High-To Superconductors

We show a nonlinear materials equation of superconductors in the form of an extended power law which can be derived from the Ginzburg-Landau (GL) functional. The critical current Jc and ac susceptibility X are analysed by using this equation, and the puzzling question of the increasing height of the out-of-phase susceptibility peak Xpeak with increasing amplitude hac is explained.     

多气隙电阻板室抗辐照性能研究

给出了为RHIC-STAR飞行时间探测器设计的多气隙电阻板室(MRPC)的辐照实验结果. 实验采用100mCi⁶⁰Co γ源, 采用不同的剂量率对MRPC进行辐照. 一个室在大剂量率2.87×10^－2Gy/h下辐照了24h后, 其性能如噪声计数率, 暗电流等均大大退化. 另一个室在相对低剂量率5.31×10^－4Gy/h下辐照了530h, 其性能没有见到任何变坏. 实验的目的是为了了解这种探测器在几年的运行中经过大剂量的辐照后的性能变化情况.     

20安培大电流自动充电器的研制

本文介绍用LM396电压调节器产生20安培大电流自动充电器的研制原理。     

关于缩短大电流开关二极管反向恢复时间的研究

通过长期的工作实践，阐述了适当条件下的金扩散对缩短反向恢复时间，提高二极管2CK28开关速度，满足了反向恢复时间，改善了二极管的反向特性。