含侧链手性噁唑硼烷催化还原苯乙酮对映选择性的理论研究

用AMI方法研究了含侧链手性恶唑硼烷催化苯乙酮还原反应的对映选择性机理 及其取代基和构型对对映选择性的影响。计算结果表明，含侧链手性恶唑硼烷催化 还原苯乙酮的反应机理与Corey等人提出的机理相符合，在此类硼催化剂的作用下 ，苯乙酮还原产物的绝对构型以R型为主。当恶唑硼烷环N(3)，B(2)上无取代基时 ，C(4)，C(5)位的取代基及其构型是不对称催化反应对映选择性的主要影响因素。     

脲、盐酸胍对碳氢链疏水作用的影响

本文测定了不同脲、盐酸胍浓度下,Triton X-100溶液的临界胶团浓度(cmc)和肌酸激酶分子在溶液中的暴露巯基数.通过计算脲、盐酸胍引起的Trito X-100胶团化过程中碳氢链的疏水能改变值,得到了评价脲、盐酸胍对碳氢链疏水作用影响的参数,盐酸胍降低碳氢链疏水能的能力是脲的3.5倍.实验结果还表明,盐酸胍引起肌酸激酶内坦巯基暴露的能力约为脲的3.2倍,这意味首在一定浓主工范围内脲、盐酸胍引起肌酸激酶变性的主要因素是它们降低了碳氢链的疏水作用.     

基于预测的平滑切换机制及其性能评价

针对微观移动协议现有切换机制存在的问题,提出了基于预测的平滑切换机制,该机制利用移动预测技术,在切换发生前预测移动主机将要切换的下一蜂窝以及切换的时刻,为移动主机预先建立新路径;为了保证基于预测的平滑切换机制的实现,提出了一个易于实现的简单移动预测算法--SMPA算法;通过理论分析和系统仿真的方法对基于预测的平滑切换机制进行了性能评价,结果表明该切换机制以相对较小的代价获得了可观的性能改善.     

光网络的保护策略

对光网络中的保护方法进行分类描述,结合当前的研究状况,对光网络保护算法的研究方向,提出相关见解.     

Impact of Transition-Metal Contamination on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Under Rapid Thermal Processing

研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.     

Effect of Nickel Contamination on Formation of Denuded Zone in Czochralski Silicon

研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.     

Alloy Temperature Dependence of Offset Voltage and Ohmic Contact Resistance in Thin Base InGaP/GaAs HBTs

研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.     

基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合

对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.     

外腔长度对FBG-ECL输出特性的影响

根据光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-ECL)的等效腔模型,讨论了外腔长度对FBG-ECL的调制特性、线宽以及强度噪声的影响.指出增大外腔长度可以使FBG-ECL具有很窄的线宽,非常适合应用在相干光通信系统中.同时发现,外腔长度的增大也将导致强度噪声、调制特性的恶化,外腔的选择对FBG-ECL应用在不同光通信系统中十分重要.     

通孔氧化铝模板的制备和光学特性

采用阳极氧化法,制备了二维有序纳米通孔氧化铝模板.研究了工艺参数对通孔有序性、孔径、模板厚度等的影响,测量了通孔氧化铝模板的光透过、光吸收和光发射等光学特性.结果表明,在波长360 nm附近通孔氧化铝模板的光透过谱线和光吸收谱线发生突变,波长大于360 nm时,光透过增强;波长小于360 nm时,光吸收增强.通孔氧化铝模板的光致发光强度和峰位与激发光波长有关,光致发光谱范围在340～600 nm.