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31.
建立了低温双极晶体管的低频噪声模型,对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析,并给出噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线,指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。 相似文献
32.
利用测量得到的[S]参数和线性噪声参数Fmin、Yopt及Rn来获取器件的非线性本征噪声因子,修正了非线性电路模拟程序中GaAsMESFET器件噪声因子,并将实验结果与直接优化结果进行了比较。 相似文献
33.
设 X_1,…,X_m i.i.d.是取值于 R~n 中的随机向量,X_1 有概率密度 f(x),取正随机变量 H_m(x,ω)=H_m(x,X_2(ω),…,(ω))为随机窗宽,f(x)的核估计与最近邻估计分别如下:f_m(x)=(mH_m~n(x,ω))~(-1)sum from i=1 to m K((X_i-x)/H_m(x,w))f_m(x)=(ma_m~n(x,w))~(-1) sum from i=1 to m K((X_i-x)/a_m(x,w)),m≥1,x∈R~n.假定 K 为 R~n 中有界变差函数,当 f(x)与 K(x)的条件比[1]弱时,我们讨论了 f_m(x)与 f_m(x)的一致强相合性。本文所得随机窗宽的结果与[1]中常数窗宽的结果相同,这些结果也比[2]和[5]中的要好。 相似文献
34.
8 噪声侵入场所(泄漏点)的发现方法 上一讲首先介绍了噪声的种类及实际故障事例,然后又介绍了噪声的监视方法。而本讲将介绍故障场所的发现方法及其对策方法,其中亦包含现场的经验之谈。 对噪声侵入位置的探索调查,各公司均以自己的独创测定方法进行。 相似文献
35.
36.
37.
用单片机产生有限带宽伪随机信号 总被引:3,自引:0,他引:3
由线性反馈移位寄存器产生出周期为p=2^11-1的伪随机白噪声,利用快速傅里叶变换及其逆变换去除了其中低于350Hz和高于550Hz的分量,获得带宽在350-550Hz之间的伪随机信号。 相似文献
38.
简述了利用微波频谱分析仪作为电磁干扰测试接收机的特点,分析研究了测试系统噪声对测量的干扰信号电平的影响,运用正弦信号加高斯噪声的包概率密度函数,导出了频谱仪工作于对数模式时的误差修正因子的计算公式,并给出了数值修正曲线。实验结果验证了理论分析与计算的正确性。 相似文献
39.
低相噪,低杂波数字锁相环路滤波器的设计 总被引:11,自引:0,他引:11
较详细地分析数字锁相频率合成器的相位噪声,着重用控制论方法对低相噪、低杂波锁相环的环路滤波器进行设计,并用某S波段频率合成器的实验结果进行了验证。 相似文献