集成功率运放LM12及其应用

LM12是美国NS公司产品,它具有输出功率大(4Ω负载时正弦波输出功率达150W),失真度低(0.01％),功率带宽宽(60kHz),过载能力强(峰值功率达800W),输出端允许接容性、感性负载,有输入、过压、过流、动态安全区保护等优点,可广泛用于电源、高压稳压器、音频功率放大器、磁头定位仪、X—Y记录仪及伺服控     

质子交换铌酸锂多模干涉光功分器的研制

采用退火质子交换工艺在铌酸锂衬底上实现了渐变边界MMI光功分器。测量表明该器件有较好的光均分功能。利用红外光谱技术分析了利用纯苯甲酸质子交换源的退火质子交换波导的红外吸收光谱特性证明通过当地选择质子交换温度、时间和退火的温度与时间，可以实现低损耗质子交换光波导的制作。     

中国推进通过手持电子设备看电视的技术

目前中国的CMMB核心芯片研发团队正在加紧与手持消费电子设备企业，如联想、中兴通讯、华旗资讯等，合作开展手机、MP4、GPS等设备上看电视的技术集成和设计工作。     

半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨

本文介绍了ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等的光压港（ＰＶＳ）。并把ＩｎＧａＡｓＰ（在特定组份下）的ＰＶＳ与ＦＦＴ—ＰＬ谱进行了比较；分析和讨论了ＰＶＳ测试的局限性和复杂性；指出了对多层异质结构材料，只有把器件结构、外延工艺、ＥＣＶ测试等结合起来，才可能正确地理解ＰＶＳ给出的测试结果。     

集成pH－ISFET／压力传感器的研究

基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离，又有效地改善了敏感特性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。     

薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术

叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步，恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用ＭＯＣＶＤ技术，在ＧＧＧ（钆镓石榴石）基片上同时外延生长Ⅲ－Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜，把光隔离器和磁光光源直接集成在一起，是一种非常有前景的光电子集成组件。     

毫米波半导体器件与其外延材料的发展

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．     

运放参数自动测试中环路的稳定性

文章介绍采用两级超前校正网络对ＩＥＣ标准测试环路进行改进，从而大大提高环路稳定性，特别是当闭环直流增益达１０３和１０４时仍能稳定工作，这对测量反映Ｉｋ、Ｉｏｓ、Ｋｄ、ＣＭＲＲＲ和ＰＳＲＲ等微小信号具有重要意义