ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

聚乙烯醇侧链液晶的结构与液晶性研究

研究了聚乙烯醇侧链液晶主链分子量和液晶基元等结构因素对其液晶性的影响，结果表明随着聚合物的分子量增加，导致复合物清亮点温度下降。但是在液晶主链尚未被液晶基元饱和之前，随着液晶基元相对主链摩尔比的增加，样品形成较为完善的氢键结构。     

纳米级自旋电子学材料取得重要进展

因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料，故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视．文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展：通过大规模系统的高精度第一原理计算，作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性，并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料，便于应用于纳米级自旋电子学器件。     

[Na(18-C-6)]2[Cu(i-mnt)2]的合成与结构分析

研究了18-冠-6与Na2[Cu(i-mnt)2][i-mnt=异丁二腈烯二硫醇阴离子,S2CC(CN)2-2]的反应,得到的配合物[Na(18-C-6)]2[Cu(i-mnt)2](1)通过元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射进行了结构分析.配合物为单斜晶系,空间群P2(1)/c.晶体学结构数据a=1.2819(11),b=1.1793(10),c=1.4928(13)nm,β=99.121(16)°,V=2.228(3)nm3,Z=2,Dcaled.=1.369g/cm3,F(000)=958,R1=0.0521,wR2=0.1003.1中的[Cu(i-mnt)2]基团通过配体i-mnt的氮原子与两个[Na(18-C-6)]基团中的钠原子成键,形成稳定的中性配合物.     

进来出去为哪般

部分外资通信企业撤离中国的背景是我国产业结构调整和经济结构升级,在一定程度上反映出我国通信制造业的现状。     

Origin of the 420 nm Absorption Band and Effect of Doping Fluorine in PbWO4 Crystals

The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-：PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO.     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.     

统盟下半年营运有明显转机

统盟电子上半年业绩不如去年同期，且第二季转盈为亏，但在7月营收已创今年单月新高，预期下半年营运有明显转机。统盟过去几年积极改变产品结构，从主板（MB）用印刷电路板（PCB）转型到薄膜晶体管液晶显示器（TFT—LCD）用PCB。因一直没有大陆生产基地处于竞争劣势，转投资大陆江苏省无锡厂第二季末逐渐试产，初期规划月产能55万平方尺，以TFT—LCD、汽车用PCB为主，有助争取更多订单。[第一段]     

ONKYO安桥：市场策略与产品结构——日本安桥CE事业部出口业务总经理荒木健先生、工程部高级工程师河田芳道先生访谈纪要

今年4月上海音响展期间，日本安桥公司CE(消费电子)事业部负责出口业务的总经理荒木健先生，以及CE事业部旗下的工程部高级工程师河田芳道先生来到上海，本刊副社长梁舒、编辑叶新海借机对他们二位进行了采访。以下是访谈纪要。